中科大芯片獲重要進展，這種材料功不可沒

近日，中國科學技術大學光學與光學工程系教授王亮課題組設計并制備的InGaAs（砷化銦鎵）單光子探測器芯片取得重要進展。

前述團隊通過設計金屬—分布式布拉格反射器優化單光子探測器芯片的光學性能，完成低本征暗計數的單光子探測器芯片的全自主化設計與制備，實現了單光子探測器芯片的全國產化，為解決我國前沿科技問題邁進了重要一步。相關成果在線發表于電子工程技術領域期刊Journal of Lightwave Technology。

基于InGaAs材料的半導體單光子雪崩二極管(SPAD)具有單光子級別的高靈敏度、短波紅外波段的人眼安全、大氣窗口波段低損耗、穿透霧霾、低功耗、小尺寸、易于集成等優秀特點。

前述優點使SPAD在量子信息技術、主被動的焦平面探測器、城市測繪、激光雷達等多個領域均發揮著重要作用，具有民用、商用以及軍用價值。

中科大團隊通過調整MOCVD的溫度、V/III比、摻雜濃度等生長參數，實現低缺陷密度和高摻雜精度的外延結構生長。其中，MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。

團隊在SPAD器件結構的基礎上，提出并設計了新型的寬譜（全光通信波段）全反射鏡，即金屬—分布式布拉格反射鏡，用以提升SPAD芯片的光電吸收效率。其制備的12μm（微米）窗口的低暗計數SPAD，在溫度233K（開氏度）及10%的探測效率下具有127Hz（赫茲）的超低本征暗計數，比國外同類產品低一個量級，擁有更優的器件性能，此芯片可滿足量子通信等應用的單光子探測使用需求，并可替代進口器件。