9月6日至8日,由中科院上海微系統與信息技術研究所和信息功能材料國家重點實驗室主辦的第十屆中紅外光電子學:材料與器件國際會議(The 10th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics:Materials and Devices)在上海舉行。來自美、英、法、德、奧地利、俄羅斯、意大利、瑞士、加拿大、捷克、波蘭、比利時、芬蘭、日本、韓國、中國等16個國家和臺灣地區的150多位專家學者和研究生參加了會議。會議邀請在中紅外領域做出領先或領先行列結果的極有影響的六位科學家做了主題邀請報告,十位科學家做了特邀報告和口頭報告與交流報告。與會代表聆聽了11場報告會,圍繞中紅外光電子學領域材料與器件及其應用的熱點問題進行深入的研討與交流。
“我們把從事快速發展的2-25微米中紅外光電材料、器件、應用領域的科學家和最終用戶聚集在一起,提供一個研討該領域半導體光源、探測器及其在氣候變化、環境污染監控、醫學診斷和國土安全、大氣通信、紅外制導等應用的論壇。三天的11場大會報告和交流報告使大家受益匪淺,深刻體會到中紅外光電子學在中紅外物理、材料科學和器件應用取得重大進展,中遠紅外半導體光源已從1994年發明4.2微米中紅外量子級聯激光器到目前覆蓋2.63~360微米, 室溫脈沖峰值功率從毫瓦發展到116瓦,引導了戰略性新興產業的興起和發展,成為國際上重點發展的戰略性學科和產業方向。新一代中紅外光源材料、結構已取突破性進展”。大會主席、美國國家科學院外籍院士、中科院上海微系統所李愛珍研究員介紹說。
中國科學院院士干福熹特邀嘉賓出席大會。阿爾卡特-朗訊半導體研究副總裁、美國國家科學院和國家工程院院士、中國科學院外籍院士卓以和博士是分子束外延之父和中遠紅外量子級聯激光器發明人之一,曾多次獲諾貝爾獎提名,全程參加了大會。中紅外量子級聯激光器發明人之一J.Faist教授在大會特邀主題報告中指出,自1962 年發明基于帶間躍遷的近紅外半導體激光二極管以來,工作于0.8-1.5微米的近紅外光電子材料和器件引領了光通信高新技術走上產業化,成為信息產業的重要支柱。繼后,科學家繼續努力,開拓波長位于2-25微米波段的中紅外半導體激光器。經過22年的潛心創新研究,基于超晶格、量子阱概念和分子束外延技術的發明與發展,于1994 年美國貝爾實驗室發明了基于帶內子帶躍遷的4.3微米中紅外單極型半導體激光器,結束了30年缺乏理想中紅外半導體光源的停滯不前徘徊局面,這在許多科學家看來,“是半導體激光器發展的第二個革命里程碑”,引起美、歐半導體科學家、政府、學術社團的高度重視,預見由中紅外量子級聯激光器、結合20世紀八十年代以來發展起來的新一代量子阱中紅外探測器、量子阱激光器構架的中紅外光電子學領域以其科學與技術的原始創新挑戰性和現實應用的戰略地位展示在全世界面前,將開拓窄禁帶中遠紅外半導體光電子量子物理、材料、器件前沿交叉學科、前沿原創技術和光電子學的嶄新應用領域并形成新產業。
由于引發全球氣候變暖的氣體、恐怖分子使用的爆炸物和生化毒物、導彈噴射的尾焰、人體疾病等的氣體、液體的基頻特征指紋吸收譜線位于中紅外波段,工作于該波段的光電子材料和器件對痕量氣體的檢測具有高靈敏度、在線、實時監測的優點,難以替代的優越性,在全球氣候變化、環境保護、癌癥的非介入實時醫學診斷和預警、紅外制導、反恐、大氣保密通信有重要的現實的應用價值和十分重要的戰略地位。“是具有戰略性、前瞻性、可持續性的前沿高新科學技術。正因為它在國土安全和人類安全上的重要戰略意義,因此倍受歐、美重視,給予高強度投資,發展十分迅速”。瑞士蘇黎世大學J.Faist教授的觀點得到了與會者的共鳴。
鑒于中紅外光電領域的重要性,由歐洲科學家發起,自1996年在英國蘭卡斯特大學召開第一屆中紅外光電子材料與器件國際會議以來,已發展成為重要系列國際會議,輪流在歐洲和美國召開。2005年我國李愛珍研究員被選聘為IC-MIOMD科學委員會委員,是來自亞洲的唯一委員。2005年她向科學委員會提出在中國上海召開IC-MIOMD會議的申請。中科院上海微系統所在國內從事中遠紅外半導體激光器和探測器材料、器件、模塊的研究結果得到國際同行的肯定。2007年在奧地利召開的第八屆IC-MIOMD會議上,經科學委員會討論表決通過,確定2010年9月在中國上海召開第十屆中紅外光電子材料與器件國際會議,由李愛珍擔任大會主席,這是該重要系列國際系列會議首次從歐洲和美國移師到亞洲召開。
據專家介紹,中紅外半導體激光器、探測器等光電子材料和器件及其應用是十分敏感的波段又是前沿高端科技。當前,國際上公認中紅外光電子學是前沿學科領域和極重要的戰略性新興產業,政府和科技組織都把它作為重大科技領域加以部署。中國科學院在中紅外激光器材料和器件領域在國內處于領先地位,探測器材料和器件領域在國內處于領先行列。此次會議推動了我國半導體光電領域從近紅外波段向中紅外、遠紅外(25~1000微米,太赫茲30~300微米)光電子領域和科學技術領域的發展。
大會會場
王曦院士致辭
美國國家科學院外籍院士李愛珍主持開幕式
美國國家科學院和國家工程院院士、中國科學院外籍院士卓以和出席大會
瑞士蘇黎世大學J.Faist教授做主題邀請報告
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