亞納米級孔隙三維圖像首次獲得

　　據物理學家組織網6月9日（北京時間）報道，美半導體研究公司與康耐爾大學的研究人員開發出一種新的方法，利用電子斷層成像技術首次獲得了亞納米級的孔隙三維圖像。科學家相信，對于半導體材料亞納米級結構的深入了解，將會不斷提高集成電路的性能，降低電能的消耗。

　　揭示信息技術進步速度的摩爾定律是由英特爾（Intel）創始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其指出當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。

　　為了不斷提高半導體的性能，科學家開始引入低介電常數材料以取代二氧化硅。低介電常數材料通過降低集成電路中使用的介電材料的介電常數，可以降低集成電路的漏電電流，降低導線之間的電容效應，降低集成電路發熱等等。低介電常數材料的研究通常是同高分子材料密切相關的，這些材料具有非常復雜的孔隙結構。掌握這些分子水平的孔隙結構，將對未來集成電路的設計產生深遠的影響。

　　負責該研究工作的康耐爾大學物理應用工程系教授戴衛·穆勒表示，如果說二維圖像抵得上“千言萬語”的話，利用復雜的計算機軟件將一系列二維圖像轉變成為三維圖像的意義就更為巨大——這不僅可以為半導體工業提供新的視角，還可以在低介電常數材料應用方面產生許多新的技術節點。隨著人們對亞納米級孔隙結構的深入了解，將會更好地控制低介電常數材料化學穩定性、可靠性及其工作性能。科學家認為，這一技術的公布，表明人們對于低介電常數材料三維孔隙結構的研究開始逼進原子級別。