佐治亞理工學院RussellDupuis教授訪問蘇州納米所

　　11月9日上午，美國國家工程院院士、佐治亞理工學院Steve W. Chaddick講席教授Russell Dupuis訪問中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所，并作題為The History and Current Status of Metalorganic Chemical Vapor Deposition的學術報告。報告會由蘇州納米所所長楊輝研究員主持，相關科研人員和學生聆聽了報告。

　　作為MOCVD技術的先驅者之一，Russell Dupuis教授詳細介紹了MOCVD技術的發明和發展過程，MOCVD技術對化合物半導體材料和器件發展的巨大推動，并以當年參與者的身份介紹了 GaAs/AlGaAs激光器的早期發展過程，Russell Dupuis教授還介紹了他的研究小組在GaN基發光器件的近期研究進展。報告引起大家的廣泛興趣，大家就MOCVD技術，GaN基材料與器件與 Russell Dupuis教授進行了深入的探討和交流。

　　在蘇州納米所訪問期間，Russell Dupuis教授還應邀在第12屆全國發光學學術會議暨發光學相關產業研討會上作了題為Recent Advances in the MOCVD Growth of III-N Light Emitting Devices的大會邀請報告，介紹了他的課題組在InGaN基LED的Efficiency Droop問題方面的研究進展。

　　Russell Dupuis教授為佐治亞理工學院電子與計算機系Steve W. Chaddick講席教授、化合物半導體中心主任。1989年到2003年，Dupuis教授為德克薩斯大學奧斯汀分校的Judson S. Swearingen講席教授。在進入學術界前，Dupuis教授在AT&T Bell Laboratories、Rockwell International、 Texas Instruments. Inc.等公司技術部門工作。在Rockwell International工作期間，他取得了一系列國際領先，包括采用MOCVD技術生長了高性能的太陽能電池和LED，在國際上首次獲得了室溫連續工作的AlGaAs-GaAs量子阱激光器。他最近的工作領域包括III族氮化物光電子和電子器件(比如AlGaN-GaN 異質結晶體管、InGaN LED和激光器、AlGaN和GaN p-i-n紫外雪崩探測器)，InP基量子級聯激光器和探測器，InAlGaAsP激光晶體管。在Dupuis教授的職業生涯中，他獲得了許多獎項，包括 2002年國家技術獎(National Medal of Technology)，2003年TMS學會John Bardeen獎，2007年IEEE Edison獎。Dupuis教授還是美國國家工程院院士，IEEE、美國物理學會及美國光學學會院士。

Russell Dupuis教授作報告

報告會現場