儀器名稱: | 佳能光刻機 |
儀器編號: | 80424600 |
產地: | 日本 |
生產廠家: | 日本 |
型號: | PLA-500 |
出廠日期: | 198004 |
購置日期: | 198004 |
所屬單位: | 集成電路學院>微納加工平臺>光刻工藝 |
放置地點: | 微電子所新所一樓微納平臺光刻間 |
固定電話: | |
固定手機: | |
固定email: | |
聯系人: | 竇維治(010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn) 付玉霞(010-62781090,15210647296,fuyuxia@mail.tsinghua.edu.cn) |
分類標簽: | 光刻 微納加工 半導體 集成電路 MEMS |
技術指標: | 最小分辨率約2μm;套刻精度±2μm;掩膜版尺寸5英寸X5英寸;對準間隙0~98μm;曝光間隙0~48μm;操作桿可掃視范圍X方向10mm、Y方向10mm。 |
知名用戶: | 吳華強(微電子所)、伍曉明(微電子所)、錢鶴(微電子所)、陳煒(微電子所)、鄧寧(微電子所)、劉建設(微電子所)、劉澤文(微電子所)、張志剛(微電子所)、楊秩(微電子所)、王敬(微電子所)、荊高山(精儀系)、許軍(微電子所)、謝丹(微電子所)、嚴清峰(化學系)、崔天宏(精儀系)、嚴小兵(中科院微所)、王喆垚(微電子所)、王曉紅(微電子所)。 |
技術團隊: | 吳華強、伍曉明、劉朋、付玉霞、魯勇、劉愛華、竇唯志、張忠會、李志東 |
功能特色: | 該設備為一臺半自動接觸式曝光機,需與其余輔助設備配套完成整個光刻工藝。光刻工藝的主要步驟分為:烘箱將硅片水分去除"熏表面接觸劑"勻膠機涂覆光刻膠"熱板對膠進行前烘"曝光機曝光"熱板進行中烘"顯影"顯微鏡進行圖形檢查"使用烘箱進行后烘。該設備對準曝光方式可在接近式、硬接觸和軟接觸模式之間進行轉換。可用的光波長度由g線、h線和i線合成;積分光量計的設定量能以0.1為單位在0~59.9之間變動;帶硅片自動/手動供給選擇開關。本設備具備自動傳片功能,供有平邊的圓片選擇;手動傳片功能供無平邊或透明的圓片選擇。另外,具備自動找平功能,從而不依賴于人的加工水平。本設備具有操作簡單、工藝穩定、加工效率高等優點。 目前,該設備可做的光刻工藝有:曝AZ601正性光刻膠厚1.5微米~2.5微米、NR9-3000P負性膠厚2.0~2.7微米用于刻蝕工藝;NR9-3000PY負性膠厚2.0~2.7微米用于剝離工藝;NR9-6000PY負性膠厚5.0~5.7微米用于剝離工藝;AZ4620正性光刻膠厚4.5~8微米用于刻蝕工藝;雙層膠用于剝離工藝等。 |
項目名稱 | 計價單位 | 費用類別 | 價格 | 備注 |
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上機預約 | 元/小時 | 自主上機機時費 | 400.0 | |
送樣 | 元/小時 | 測試費 | 400.0 |