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  • 發布時間:2024-05-28 11:18 原文鏈接: 佳能光刻機共享

    儀器名稱:佳能光刻機
    儀器編號:80424600
    產地:日本
    生產廠家:日本
    型號:PLA-500
    出廠日期:198004
    購置日期:198004


    所屬單位:集成電路學院>微納加工平臺>光刻工藝
    放置地點:微電子所新所一樓微納平臺光刻間
    固定電話:
    固定手機:
    固定email:
    聯系人:竇維治(010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn)
    付玉霞(010-62781090,15210647296,fuyuxia@mail.tsinghua.edu.cn)
    分類標簽:光刻 微納加工 半導體 集成電路 MEMS
    技術指標:

    最小分辨率約2μm;套刻精度±2μm;掩膜版尺寸5英寸X5英寸;對準間隙0~98μm;曝光間隙0~48μm;操作桿可掃視范圍X方向10mm、Y方向10mm。

    知名用戶:吳華強(微電子所)、伍曉明(微電子所)、錢鶴(微電子所)、陳煒(微電子所)、鄧寧(微電子所)、劉建設(微電子所)、劉澤文(微電子所)、張志剛(微電子所)、楊秩(微電子所)、王敬(微電子所)、荊高山(精儀系)、許軍(微電子所)、謝丹(微電子所)、嚴清峰(化學系)、崔天宏(精儀系)、嚴小兵(中科院微所)、王喆垚(微電子所)、王曉紅(微電子所)。
    技術團隊:

    吳華強、伍曉明、劉朋、付玉霞、魯勇、劉愛華、竇唯志、張忠會、李志東

    功能特色:

    該設備為一臺半自動接觸式曝光機,需與其余輔助設備配套完成整個光刻工藝。光刻工藝的主要步驟分為:烘箱將硅片水分去除"熏表面接觸劑"勻膠機涂覆光刻膠"熱板對膠進行前烘"曝光機曝光"熱板進行中烘"顯影"顯微鏡進行圖形檢查"使用烘箱進行后烘。該設備對準曝光方式可在接近式、硬接觸和軟接觸模式之間進行轉換。可用的光波長度由g線、h線和i線合成;積分光量計的設定量能以0.1為單位在0~59.9之間變動;帶硅片自動/手動供給選擇開關。本設備具備自動傳片功能,供有平邊的圓片選擇;手動傳片功能供無平邊或透明的圓片選擇。另外,具備自動找平功能,從而不依賴于人的加工水平。本設備具有操作簡單、工藝穩定、加工效率高等優點。

    目前,該設備可做的光刻工藝有:曝AZ601正性光刻膠厚1.5微米~2.5微米、NR9-3000P負性膠厚2.0~2.7微米用于刻蝕工藝;NR9-3000PY負性膠厚2.0~2.7微米用于剝離工藝;NR9-6000PY負性膠厚5.0~5.7微米用于剝離工藝;AZ4620正性光刻膠厚4.5~8微米用于刻蝕工藝;雙層膠用于剝離工藝等。

    項目名稱計價單位費用類別價格備注
    上機預約元/小時自主上機機時費400.0
    送樣元/小時測試費400.0


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