光磁電效應的技術原理

光磁電效應，為1931年提出的一條物理學理論，即在垂直光照方向上（z向）再加一磁場，則在半導體的兩側端面間產生電位差，稱為光磁電效應。

光磁電效應的機制是光照射到半導體表面后生成非平衡載流子的濃度梯度，使載流子產生定向擴散速度，磁場作用在載流子上的洛侖茲力使正負載流子分離，形成端面電荷累積的電位差和橫向電場。當作用在載流子上的洛侖茲力與橫向電場的電場力平衡時，兩端面的電位差保持不變。