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  • 發布時間:2018-12-12 15:37 原文鏈接: 助力半導體工業日本電子推出高通量分析電鏡JEMACE200F

      分析測試百科網訊 近日,日本電子總裁Gon-emon Kurihara對外宣布,日本電子將在2018年12月發布一款新型高通量分析電子顯微鏡—JEM-ACE200F,公司預設銷售數量為30臺/年。

      產品開發背景

      隨著半導體工業中元器件進一步小型化,透射電鏡已經成為元器件表征多種手段中必不可少的工具之一。這些工具,研究人員可以進行形態學觀察、臨界尺寸測量、元素分析、局部應變分析和摻雜濃度測量,尤其是半導體工業對形態觀察、臨界尺寸測量、元素分析等方面的數據采集提出了快速、穩定、高分辨率的要求,以便將這些數據采集反饋至制造過程。

      針對以上需求,日本電子開發了一種全新的高通量TEM,即JEM-ACE200F。JEM-ACE200F可通過創建無需操作人員看管實際操作工作流程系統實現樣品自動檢測和數據自動生成。由于集成了JEM-ARM200F和FE-TEM JEM-F 200技術,JEM-ACE200F在性能和穩定性方面表現優秀,同時,其外觀方面也進行了更為精致的設計。

    新型高通量分析電子顯微鏡——JEM-ACE200F

      主要特點:

      高通量

      與自動顯微鏡調諧功能(TEM/STEM)相結合的快速數據采集。

      縮短抽真空時間,從插入樣品桿到開始觀察只需30秒。

      友好的用戶界面

      基于日常顯微鏡操作的精密GUI。

      所有的操作都可以通過鼠標操作來完成。

      易于編程和更改流程方案

      工作流程方案可以用直觀的工具進行編程。

      工作流程可以使用多種標準化的編程語言進行靈活涉及。

      環保設計

      采用高度環保的外殼。

      遠程操作。

      主要參數

    TEM分辨率 ( 200 kV)

    Point image 0.21 nm

    Lattice image 0.10 nm

    Information limit 0.11 nm

    STEM分辨率(at 200 kV)

    STEM DF image 0.136 nm

    STEM BF image 0.136 nm

    電子槍

    Schottky field emission gun, ZrO/W(100) emitter

    加速電壓

    60 to 200 kV (80, 200 kV; standard, Other voltages; option)

    樣品移動

    X, Y: ± 1.0 mm Z: ± 0.2 mm

    樣品傾斜角度

    TX/TY (with Specimen Tilting; Holder)±20°/±25°

    TX (with Specimen High Tilting Holder)±80°

    可選

    Energy dispersive X-ray spectrometer(EDS), Electron energy-loss spectrometer (EELS), Multi-specimen auto transfersystem, Integrated TEM control system (Automation Center), TEM/STEM tomography system


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