從入射光照射到半導體 表面的 瞬間開始，能帶中的 載流子濃度將不斷增加。但隨著載流子的增加， 復合的機會也增多，經過一段時間后，就會達到載流子因光激發而增加的速率與因復合而消失的速率相等的 穩定狀態。這時能帶中的載流子濃度減去光照之前原有的載流子濃度就得到 光生載流子濃度。到達這一穩定狀態所需的時間就叫做光電導的 弛豫時間，或 響應時間。
用適當的 電子線路可以測量 光生載流子所輸出的 電流，這個電流稱為 光電流。入射光的單位 功率所產生的光電流，稱為光電導的響應率。它代表 樣品的光電導過程的 效率，與 材料的基本參量，如載流子 遷移率和 壽命、樣品的尺寸以及入射光的 波長等有關。
除掉載流子濃度增加可產生光電導外，由于 光照引起 載流子遷移率的改變也會產生光電導。有人稱這類光電導為第二類光電導，以區別于上述載流子濃度增加的第一類光電導。InSb單晶在深低溫的第二類光電導已被用來制作遠 紅外探測器。