趨勢
上述各種γ射線探測器均須在低溫下工作。人們日益注意探索可在常溫下探測γ射線的半導體材料。一些原子序數較大的化合物半導體，如碲化鎘、砷化鎵、碘化汞、硒化鎘等，均已用于制備X、γ射線探測器,并已取得不同程度的進展。
應用領域
隨著科學技術不斷發展需要，科學家們在鍺鋰Ge(Li)、硅鋰Si(Li)、高純鍺HPGe、金屬面壘型等探測器的基礎上研制出許多新型的半導體探測器，如硅微條、Pixel、CCD、硅漂移室等，并廣泛應用在高能物理、天體物理、工業、安全檢測、核醫學、X光成像、軍事等各個領域。世界各大高能物理實驗室幾乎都采用半導體探測器作為頂點探測器。美國費米實驗室的CDF和D0，SLAC的B介子工廠的BaBar實驗，西歐高能物理中心（CERN）LEP上的L3，ALEPH，DELPHI，OPAL，正在建造的質子-質子對撞機LHC上的ATLAS，CMS及日本的KEK，德國的HARA、HARB及Zeus等。ATLAS和CMS還采用了硅微條探測器代替漂移室作為徑跡測量的徑跡室。近些年高能物理領域所有新的物理成果，無不與這些高精度的具有優良性能的先進探測器密切相關。