近年來，太赫茲技術發展迅速，應用越來越廣泛，是當前的熱門研究領域。由于太赫茲量子級聯激光器是產生太赫茲輻射的重要器件，因此科學家開始鉆研太赫茲量子級聯激光器的研究中，而就在近日，我國太赫茲量子級聯激光器領域有了重大進展，半導體研究所成功研制出系列太赫茲量子級聯激光器產品。
中國科學院半導體研究所半導體材料科學重點實驗室，低維半導體材料與器件北京市重點實驗室， 在國家科技部，自然科學基金，及中科院等項目的支持下，經過努力探索，制備成功太赫茲量子級聯激光器系列產品。
太赫茲（THz）量子級聯激光器是一種通過在半導體異質結構材料的導帶中形成電子的受激光學躍遷而產生相干極化THz輻射的新型太赫茲光源。中國科學院半導體研究所半導體材料科學重點實驗室經過多年的基礎研究和技術開發，目前推出系列太赫茲量子級聯激光器產品。頻率覆蓋2.9~3.3
THz，工作溫度10~90 K，功率5~120mW。
半導體研究所成功推出系列太赫茲量子級聯激光器產品
半導體研究所成功推出系列太赫茲量子級聯激光器產品
半導體研究所成功推出系列太赫茲量子級聯激光器產品
太赫茲波介于中紅外和微波之間，是一種安全的具有非離化特征的電磁波。它能夠穿透大多數非導電材料同時又是許多分子光學吸收的特征指紋光譜范圍。它的光子能量低（1
THz對應的能量大約4
meV），穿透生物組織時不會產生有害的光電離和破壞，在應用到對生物組織的活體檢驗時，比X光更具優勢。它的波長比微波短，能夠被用于更高分辨率成像。THz波在分子指紋探測、診斷成像、安全反恐、寬帶通訊、天文研究等方面具有重大的科學價值和廣闊的應用前景。
此外，作為固態半導體器件的太赫茲量子級聯激光器具有能量轉換效率高、體積小、輕便和易集成等優點，目前已成為太赫茲技術領域的研究熱點之一。而近年來，太赫茲量子級聯激光器有了迅速的發展，有望在太赫茲通信領域得到應用。