臺積電擴廠典禮引發民眾焦慮，美國高興壞了

　　12月26日消息，近期臺積電宣布擴大美國投資，外派工程師赴美支援，引發“去臺化”疑慮。據中國臺灣媒體報道，臺積電將于12月29日舉行3nm量產暨擴廠典禮，罕見以實際行動宣示持續深耕臺灣的決心，化解外界疑慮。

　　根據臺積電發出活動通知顯示，預計將于12月29日在臺南科學園區的晶圓18廠新建工程基地，舉行3nm量產暨擴廠典禮，屆時將有上梁儀式。值得注意的是，在今年的6月30日，三星電子搶先宣布了3nm GAA技術的量產，并于7月25日舉行了3nm GAA制程芯片的出廠儀式。顯然，從時間上來看，臺積電3nm量產時間比三星晚了近半年。

　　臺積電總裁魏哲家于今年臺積電臺灣技術論壇中說，3nm技術發展很困難，有好多客戶踴躍合作，臺積電3nm沿用鰭式場效晶體管（FinFET）架構，是經過考慮良久，制程技術推出不是好看、要實用，要協助客戶讓產品持續推進。

　　相較于5nm，臺積電3納米制程技術的邏輯密度將增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。預計，蘋果（Apple）及英特爾（Intel）等客戶都將采用臺積電3nm制程。

　　臺積電的南科晶圓18廠是5nm及3nm的生產基地，其中，晶圓18廠5期至9期廠房是3nm生產基地。

　　臺積電美國亞利桑那州廠第1期工程，預計2024年量產4nm；第2期工程開始興建，預計2026年生產3nm制程，兩期工程總投資金額約400億美元，兩期工程完工后合計將年產超過60萬片晶圓。不過，從量產時間點上來看，臺積電美國廠3nm量產時間要比臺灣晚近4年的時間。而根據臺積電的計劃，其將于2025年量產2nm。也就是說，臺積電美國廠的最先進制程將會比臺灣廠的最先進制程晚一代以上。