圖8顯示了具有不同位線配置的NBL耦合電平，表明可配置金屬電容器C1可以隨位線長度調節，從而可以減輕具有不同位線長度的耦合NBL電平的變化。
圖8．具有不同位線配置的NBL耦合電平。
寫入輔助的第二種方法是降低單元VDD（LCV）。LCV的常規技術需要強偏置或有源分壓器才能在寫操作期間調整列式存儲單元的電源電壓，但是這些技術在整個工作時間內會消耗大量的有功功率。脈沖下拉（PP，Pluse Pull－down）和電荷共享（CS，Charge Sharing）技術是兩種替代解決方案，但PP難以精確計時。因此，如圖9所示，臺積電提出了使用陣列頂部的金屬線作為電荷共享電容器來實現CS方案。
圖9．使用SRAM陣列頂部的CS金屬走線實現LCV的電荷共享，以實現寫輔助。