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  • 發布時間:2013-09-23 14:08 原文鏈接: 大口徑偏振片基板加工工藝技術取得突破性進展

      中科院上海光學精密機械研究所中科院強激光材料重點實驗室與恒益光學精密機械有限公司通過持續的技術攻關,近期在神光-Ⅱ裝置升級項目用偏振片基板加工工藝技術上取得突破性進展,有力支撐了神光-Ⅱ裝置升級項目節點目標的完成。

      神光-Ⅱ裝置升級項目所需的偏振片基板加工是在經過幾年委托其他國內單位加工反復驗證其無法滿足裝置運行要求后,由恒益光學精密機械有限公司與中科院強激光材料重點實驗室主動請纓參與攻關的。為突破偏振片元件的加工技術難點,攻關小組嚴密組織、反復論證技術路線,充分利用上海光機所在古典光學加工方面的經驗和優勢,結合上海光機所剛引進的磁流變、小磨頭等先進數控加工技術,實現了偏振片基板全頻段面形的高精度控制,特別是在中頻PSD和RMS等關鍵指標控制工藝方面實現了較大的創新和突破。截至2013年9月,中科院強激光材料重點實驗室交付給神光-Ⅱ裝置升級項目組的偏振片元件基本達到美國NIF裝置所要求的指標。

      偏振片元件在高功率激光系統中起光開關或光隔離作用,是神光-Ⅱ裝置升級項目中的關鍵元件之一。偏振片基板的加工難度來自于大尺寸、超長寬比、厚度接近校正盤等特點;同時由于其在光路上的特殊作用,對加工表面誤差的技術指標要求是全頻段的,造成單一光學表面加工技術難以完全滿足面型的全頻段高精度要求。美國的國家點火裝置建設與法國兆焦耳計劃中,曾經過了多年的攻關才滿足裝置的要求;即使現在仍然將偏振片作為主要研究內容進行持續攻關。

      本次技術攻關的初步成功,為上海光機所培養了一支年輕的初步掌握了先進數控光學冷加工技術的隊伍,也是上海光機所近年來在先進數控光學加工技術上的前瞻部署和大幅度投入后的突破性產出。


    圖示是其中一個偏振基板的檢測數據,全方位滿足了技術指標要求。

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