對可控開關器件傻傻分不清這篇文章讓你不再困惑

　　你是否看見這些可控開關器件傻傻的分不清呢？你是不是真的愛這些器件呢？可我們不懂它，又怎么稱的上愛它呢？那就讓我們走進它們，了解它們。下面我們從器件對觸發信號波形的要求、開關頻率、單雙極、主要優、缺點方面考慮，七種可控開關器件BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SIT。

　　BJT：電流型全控器件；正持續基極電流控制開通，基極電流為0則關斷；開關頻率適中；雙極；主要優點：通態壓降小，通態損耗小；主要缺點：驅動功率大，頻率低。

　　SCR：電流型半控器件；正脈沖門極電流控制開通，觸發信號不能控制開斷；開關頻率低；雙極；主要優點：通態壓降小，通態損耗小；主要缺點：驅動功率大，頻率低。

　　GTO：電流型全控器件；正脈沖門極電流控制開通，負脈沖門極電流（較大）控制關斷；開關頻率低；雙極；主要優點：通態壓降小，通態損耗小；主要缺點：驅動功率大，頻率低。

　　P-MOSFET：電壓型全控器件；正持續柵極電壓控制開通，負持續柵極電壓控制并保持關斷；開關頻率高；單極；主要優點：輸入阻抗高，驅動功率小，驅動電路簡單，工作頻率高；主要缺點：通態壓降大（通態損耗大），電流、電壓額定低。

　　IGBT：電壓型全控器件；正持續柵極電壓控制開通，負持續柵極電壓控制并保持關斷；開關頻率較高；雙極；主要優點：輸入阻抗高，驅動功率小，驅動電路簡單，工作頻率高；主要缺點：通態壓降大（通態損耗大）。

　　MCT：電壓型全控器件；正脈沖電壓控制開通，負脈沖電壓控制關斷；開關頻率較高（低于IGBT）；雙極；主要優點：輸入阻抗高，驅動功率小，驅動電路簡單，工作頻率高；主要缺點：通態壓降大（通態損耗大）。

　　SIT：電壓型全控器件；持續電壓控制斷、通；開關頻率高；單極；主要優點：輸入阻抗高，驅動功率小，驅動電路簡單，工作頻率高；主要缺點：通態壓降大（通態損耗大）。