少子壽命測試采用了獨特的測量和分析技術，包括準穩定態光電導(QSSPC)測量方法。可靈敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應,表面復合效應等缺陷情況。WCT在大于20%的超高效率太陽能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發和生產過程中是一種被廣泛選用的必備檢測工具。這種QSSPC測量少子壽命的方法可以在電池生產的中間任意階段得到一個類似光照IV曲線的開路電壓曲線，可以結合最后的IV曲線對電池制作過程進行數據監控和參數優化。主要應用：分布監控和優化制造工藝其它應用：檢測原始硅片的性能 測試過程硅片的重金屬污染狀況 評價表面鈍化和發射極擴散摻雜的好壞 用得到的類似IV的開壓曲線來評價生產過程中由生產環節造成的漏電。 主要特點： 只要輕輕一點就能實現硅片的關鍵性能測試，包括表面電阻，少子壽命，陷阱密度，發射極飽和電流密度和隱含電壓。