主要用于微波通信、衛星通信、雷達、電子對抗以及遙測、遙控系統中的接收機前置放大器。微波晶體管的噪聲越低,接收機的靈敏度越高,這些系統的作用距離越大。
雙極型晶體管的噪聲來源有：熱噪聲、散彈噪聲、分配噪聲和1/ 噪聲（也稱閃爍噪聲）。場效應晶體管是多數載流子器件，故不存在少數載流子引起的散彈噪聲和分配噪聲，但存在一個肖特基柵感應噪聲。
為了降低微波低噪聲晶體管的噪聲，對雙極型晶體管來說，最重要的是減小基極電阻及各項串聯電阻和接觸電阻，減小寄生電容，減薄基區，減小少子的渡越時間等。對場效應晶體管來說，應盡可能降低源的串聯電阻、接觸電阻以及柵金屬化電阻，盡量減小柵長（已達到亞微米量級），采用低溫致冷技術等。
雙極晶型體管和場效應晶體管的噪聲來源不盡相同，但它們隨頻率和工作電流的變化規律是相似的。盡量降低白噪聲和采用較小的工作電流，可以得到最佳效果。
硅雙極型晶體管最高工作頻率只達到8吉赫,而且在這一頻率下噪聲很大，無實用價值。一般只應用于 2吉赫以下，噪聲系數為1～2分貝。
砷化鎵場效應管的工作頻率已達60吉赫。在工作頻率1～12吉赫下,噪聲系數僅0.5～1.4分貝。異質結高電子遷移率場效應晶體管(HEMT)工作頻率更高、噪聲更低。