我國納米光刻技術研究取得突破

　　日前，中科院光電技術研究所微光刻技術與微光學實驗室首次提出基于微結構邊際的LSP超分辨光刻技術。該技術利用微納結構邊際作為掩模圖形，對表面等離子體進行有效激發，其采用普通I-line、G-line光源獲得了特征尺寸小于30納米的超分辨光刻圖形。　

　　據相關負責人介紹，傳統的微光刻工藝采用盡可能短的曝光波長，期望獲得百納米甚至幾十納米級別的光刻分辨率。然而，隨著曝光波長的縮短，整個光刻裝備的成本也急劇上升。以目前主流的193光刻機為例，其售價為幾千萬美元。如此高昂的成本嚴重限制了短波長光源光刻技術的應用。

　　近年來，表面等離子體光學的提出為微光刻技術的發展提供了新的選擇。利用表面等離子體波的短波長，通過合理的設計掩模圖形和工藝參數，超分辨的納米光刻技術有望形成。

　　在此背景下，該所研究員提出了基于微結構邊際的LSP超分辨光刻技術。理論研究表明，該技術可獲得特征尺寸小于1/10曝光波長的納米結構，并利用365納米光源從實驗上獲得了超越衍射極限的光刻分辨率。這將為我國正在迅猛發展的信息產業技術及納米科技提供堅實的加工制備基礎。