挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線

　　挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。

　　以Helge Weman教授為首的挪威科技大學電子與電訊系的研究團隊和CrayoNano AS公司共同研制，并聯合申請了ZL。該產品采用自動分子束外延生長法，在原子級薄石墨烯上生成半導體納米線，新電極具有透明、韌性佳且價格低廉。 Weman教授認為這種納米線雖然不是一個全新產品，但它是半導體裝置生產方法的一個新模板，該技術ZL可應用于未來太陽能電池和發光二極管的生產。

　　石墨烯在半導體工業的應用引起了世界范圍的廣泛注目，目前IBM公司和三星公司都在致力于開發石墨烯，希望其替代硅在電子產品如觸屏手機等中的使用。該項技術的優勢是，使得消費類電子產品更加便于升級，而設計不會受到任何限制，為電子產品和光電子器件提供了新的平臺。未來潛在最大的市場是基于石墨烯和半導體納米線的納米太陽能電池、自供電納米機器和先進的3D集成電路，其應用前景包括服裝、筆記本、傳統手機、平板電腦和運動配件的生產，未來的電子產品將更加微型而高效。引用石墨烯將是未來眾多應用的優選基板，它將是新型電子設備系統的基礎。

　　從2007年起，挪威研究理事會就開始立項支持此研究，挪威科技大學納米實驗室、國家納米光子實驗室和MBE實驗室共同參與了該項科研，為支持該項成果的商業化，還專門成立了CrayoNano AS公司。目前挪威科技大學技術轉讓中心和CrayoNano AS公司共同擁有該項技術ZL。