晶圓清洗設備的目的和分類

　　半導體晶圓對微污染物的存在非常敏感，為了達成晶圓表面無污染物的目標，必須移除表面的污染物并避免在制程前讓污染物重新殘余在晶圓表面。因此半導體晶圓在制造過程中，需要經過多次的表面清洗步驟，以去除表面附著的金屬離子、原子、有機物及微粒。

　　目前晶圓清洗技術大致可分為濕式與干式兩大類，仍以濕式清洗法為主流。所謂濕式化學清洗技術，是以液狀酸堿溶劑與去離子水之混合物清洗晶圓表面，隨后加以潤濕再干燥的程序。