電子束曝光是用低功率密度的電子束照射電致抗蝕劑，經顯影后在抗蝕劑中產生圖形的一種微細加工技術。
這種曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工藝容限大，而且生產效率高，但由于電子束在光刻膠膜內的散射，使得圖案的曝光劑量會受到臨近圖案曝光劑量的影響（即臨近效應），造成的結果是，顯影后，線寬有所變化或圖形畸變。雖然如此，限角度投影式電子束光刻仍是最具前景的非光學光刻。[1]
電子束曝光有投影（又稱為電子束面曝光）和掃描（又稱為電子束線曝光）兩種工作方式。
電子束投影方式與光刻過程類似，是將掩模版上的圖形轉換成襯底表面介質的圖形的過程。