常用于測定高純材料中痕量雜質，對分析99.999～99.9999%純度材料，效果好，測定下限可達μg至ng級。此法須先用液-液萃取、揮發、離子交換等技術分離主體，富集雜質，再對溶液干渣用高壓電火花或交流電弧光源進行光譜測定；或在分離主體后，把溶液濃縮到2～5ml，用高頻電感耦合等離子體作光源進行光譜測定。
