真空互聯技術可實現新型半導體材料和器件創新

　　 日前，由中科院蘇州納米所牽頭承辦的第608次香山科學會議在蘇州舉行，來自國內外的40多位專家學者參會。本次大會的主題為“化合物半導體器件的異質集成與界面調控”，中科院院士李樹深、黃如、中科院蘇州納米所所長楊輝、香港大學教授謝茂海擔任本次大會的執行主席。

　　半導體與集成電路在人類社會各領域的應用越來越廣泛，也越來越重要。經歷半個多世紀的發展，硅集成電路日前的器件尺度與集成度已接近現有技術的極限。中科院蘇州納米所王永疆博士介紹，隨著硅集成電路的高度發展，III-V族化合物（主要包括鎵化砷、磷化銦和氮化鎵）半導體材料與器件的開發和應用越來越受到廣泛關注，已經成為半導體產業的另外一個支柱。硅半導體與化合物半導體的結合是未來信息發展領域的一個必然趨勢。“異質集成與界面調控是該領域的關鍵共性難題，其背后深層次的科學問題在于表面/界面的本征性質、量子效應及原子操控等。利用全新的真空互聯技術，可以從本質上認識納米材料與器件中的量子效應，進行表、界面精確調控，實現新型半導體材料與器件的創新”，王永疆說。

　　納米真空互聯綜合實驗站是一個用于材料生長、器件加工、測試分析的完整系統。所有樣品均可在超高真空環境中準確、快速、平穩地進行傳送。《中國科學報》記者了解到，目前中科院蘇州納米所正在建設全世界規模最大、功能最全，集材料生長、測試分析、器件工藝于一體的納米真空互聯實驗大裝置，建成后將對發展新一代納米電子與器件研究有重要促進作用。目前，這個納米真空互聯實驗大裝置一期建設進展順利，部分設備已經互聯，在歐姆接觸、能帶工程數據庫等方面的研究取得初步進展，最終目標是建成總長約500米的超高真空管道，實現上百臺儀器設備的互聯。

　　會議期間，與會專家還就未來納米光電器件研究、硅基化合物半導體材料與器件集成研究、新型二維材料研究及器件探索等議題進行了深入研討。