激光干涉
激光干涉終點法（IEP）是用激光光源檢測透明薄膜厚度的變化，當厚度變化停止時，則意味著到達了刻蝕終點。其原理是當激光垂直入射薄膜表面時，在透明薄膜前被反射的光線與穿透該薄膜后被下層材料反射的光線相互干涉。
預報式檢測
隨著主流半導體工藝技術由0.18 μm 逐漸轉移到0.13 μm工藝，以及最新的90 nm 工藝成功研發及投入使用。半導體器件的特征尺寸進一步減小，柵氧層的厚度越來越薄。90 nm工藝中，柵氧層的厚度僅為1.2 nm。如果等離子體刻蝕工藝控制不好， 則非常容易出現柵氧層的損傷；同時， 所使用的晶片尺寸增至300mm， 暴露在等離子體轟擊下的被刻蝕面積不斷縮小，所檢測到的終點信號的強度下降，信號的信噪比降低。所有這些因素都對終點檢測技術本身及其測量結果的可靠性提出了更加嚴格的要求。在0.18 μm工藝時，使用單一的OES檢測手段就可滿足工藝需求；進入0.13 μm 工藝后，就必須結合使用OES 及IEP 兩種檢測手段。由于IEP技術可以在刻蝕終點到達之前進行預報，因而被稱為預報式終點檢測技術