① 量子效率，
η=(1-R反)(1-
)
R反為光敏面反射系數，為空穴的擴散長度。為了減小R反，通常在受光面鍍抗反膜。
②響應速度，在全耗盡情況，響應速度由耗盡區渡越時間τd及（Rs+RL）C時間常數決定。τd=W/V，Vs，為飽和漂移速度，Rs為二極管串聯電阻，RL為負載電阻，C為器件電容。
③噪聲來源，噪聲包括散彈噪聲和熱噪聲。前者來源于光電流、背景光電流及暗電流等的隨機量子起伏。熱噪聲由負載電阻及跟隨放大器的輸入阻抗等溫度起伏所引起。
④暗電流Id，耗盡區的峰值電場超過臨界值Em(InGaASEm≈1.5×10V/cm)時，隧道電流將成為暗電流的主要成分。使用時必須保Em<Em。
⑤壽命，反映光電二極管退化的主要參數是反向漏電流，室溫反向漏電流增加至原始值10倍時的工作時間為光電二極管的壽命。