FET由各種半導體構成,目前硅是最常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體制造技術制造,使用單晶半導體硅片作為反應區,或者溝道。
大部分的不常見體材料,主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中,或者有機場效應晶體管中的非晶半導體。有機場效應晶體管基于有機半導體,常常用有機柵絕緣體和電極。