采用俄歇電子能譜法(AES),對某芯片的正常引線鍵合點和失效引線鍵合點進行了分析.實驗結果表明:失效引線鍵合點表面出現了Cl元素,其失效原因是在鍵合點處形成的氯化物腐蝕鍵合點,導致鍵合點失效;濺射20min后,鍵合點內發生Ni金屬的遷移,這也是導致鍵合點失效的原因之一.
