表面態對mos結構cv特性影響

因為半導體表面態是關系到少數載流子濃度的改變，而少數載流子存在有一定的復合壽命和產生壽命，濃度變化不是瞬間能完成的，所以表面態對mos結構cv特性影響，主要表現在對cv特性曲線形狀的影響：使得強反型時的低頻cv曲線上升到氧化層電容值，同時使得cv曲線沿著電壓方向有所延伸，而且曲線變得不平滑、呈現出波動。在最小電容對應的電壓處，低頻cv曲線與高頻cv曲線之間的電容差就直接反映了表面態密度的大小。