二次離子質譜法（ secondary ion mass spectrometry， SIMS）
采用二次離子質譜儀進行質析的方法，該法依賴于所用不同二次離子質譜儀，可劃分為四極桿二次離子質（quasSenary ion nmss spectrometr）、高分辯二次離子質譜儀（ high resolution two ion mass spectromete）、雙聚焦二次離子質譜法 （double focusing secondary ion mass spectrometry）和時間飛行二次離子質譜法（TOF seoondary ion mass spectrometry）。根據分析對象和測量目的的不同，該法可進行表分分析、深度部析、成像和同位素精確測量，獲取元素成分、同位素豐度、物質結構等多種信息。
熱電離質請法（ thermal ionization mass speetrometry，TIMS）原子或分子在高熔點、高功函數金屬帶或金屬絲的熱表面產生原子離子或分子離子的現象稱為熱電離；采用熱電離原理造的離子源與質量分離器、離子探測器組建成熱電離質譜儀；
使用熱電離質譜儀測量元素同素豐度、同位素豐度比等量的方法通常稱作熱電離質譜法（TIMS）。因為熱電離可以產生正離子或負離子，客觀上也存在正熱電離質譜法（ PTIMS）和負熱電離質譜法（NTMS）。目前廣泛使用的熱電離質譜法是表面電離質譜法。熱電離質譜法測量的離子能量發散小、測量值精度高普用于核科學、核工業、同位素地質、同位素地球化學，基礎科學等領域。熱電離質譜法與同位素稀釋、同位素示蹤相結合建立的同位素稀釋質譜法、同位素示蹤法，是微量、痕量元素測量的最佳方法。