銻化鎵的應用

銻化鎵（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半導體，屬于閃鋅礦、直接帶隙材料，其禁帶寬度為0.725eV（300K），晶格常數為0.60959nm。

GaSbChemicalbook具有優異的物理化學性能，常被用做襯底材料，應用于8~14mm及大于14mm的紅外探測器和激光器。

此外，Te摻雜的GaSb可用于制備高光電轉化效率的熱光伏器件、迭層太陽能電池及微波器件等。