蘇州納米所徐科研究員獲“求是杰出青年成果轉化獎”
日前，第十三屆中國科協“求是杰出青年成果轉化獎”揭曉。 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所徐科研究員等5人因其既注科學研究、又積極推動科研成果轉化為現實生產力、取得了明顯的經濟效益和社會效益、在廣大青年科技工作者中起到了良好的榜樣作用獲得了第十三屆中國科協“求是杰出青年成果轉化獎”。 中共中央政治局委員、全國人大常委會副委員長王兆國為獲獎者頒獎。 “求是杰出青年獎?成果轉化獎”由全國人大常委會原副委員長、中國科協名譽主席周光召提議，并由中國科協于1998年設立。成果轉化獎每年獎勵名額不超過5名。 蘇州納米所作為院地共建的創新型研究所，從建所之初就十分注重科研成果的轉移轉化和產業化工作。徐科是納米所首批引進的研究員之一，在研究所領導的大力支持下，近四年來帶領團隊瞄準氮化物半導體產業的關鍵難題之一――氮化鎵襯底，開展研發和產業化攻關，取得多個重要進展。該項目從研究所的60萬元啟動經費開始，相繼獲得了國家自然科學......閱讀全文
氮化鎵的的化學特性
在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質量差的GaN，可用于這些質量不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現不穩定特性，而在N2氣下最為穩定。
氮化鎵的的光學特性
人們關注的GaN的特性，旨在它在藍光和紫光發射器件上的應用。Maruska和Tietjen首先精確地測量了GaN直接隙能量為3.39eV。幾個小組研究了GaN帶隙與溫度的依賴關系，Pankove等人估算了一個帶隙溫度系數的經驗公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。 Monemar測定了基本的
氮化鎵的的電學特性
GaN的電學特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型,最好的樣品的電子濃度約為4×1016/cm3。一般情況下所制備的P型樣品，都是高補償的。很多研究小組都從事過這方面的研究工作，其中中村報道了GaN最高遷移率數據在室溫和液氮溫度下分別為μn=600cm2/v·s和μn= 1
氮化鎵的的化學特性
在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質量差的GaN，可用于這些質量不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現不穩定特性，而在N2氣下最為穩定。
氮化鎵的的結構特性
結構特性GaN纖鋅礦結構圖GaN的晶體結構主要有兩種，分別是纖鋅礦結構與閃鋅礦結構。
蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領域取得進展
近年來，大數據、互聯網和人工智能的快速發展，對數據處理的速度和效率提出了更高的要求。人類大腦是最復雜的計算系統之一，可以通過密集協調的突觸和神經元網絡同時存儲、整合和處理大量的數據信息，兼具高速和低功耗的優勢。受人腦的啟發，人工突觸器件應運而生。人工突觸器件因具有同時處理和記憶數據的能力而備受關
氮化鎵的的計算化學數據
1、疏水參數計算參考值（XlogP）：無2、氫鍵供體數量：03、氫鍵受體數量：14、可旋轉化學鍵數量：05、互變異構體數量：無6、拓撲分子極性表面積：23.87、重原子數量：28、表面電荷：09、復雜度：1010、同位素原子數量：011、確定原子立構中心數量：012、不確定原子立構中心數量：013、
氮化鎵襯底晶片實現“中國造”
蘇州納維生產的4 英寸GaN 單晶襯底 一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵（GaN）襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司（以下簡稱蘇州納維）的主打產品。 “不會游泳的
氮化鎵的的合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態金屬，并促使與氮化劑的接觸。2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細的GaP或GaAs也可制得GaN。
氮化鎵的的結構和應用特點
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性
氮化鎵半導體材料的應用前景
對于GaN材料，長期以來由于襯底單晶沒有解決，異質外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開發LED的 7年規劃，其目標是
氮化鎵功率芯片的應用領域
1）手機充電器。主要有2 個原因，①手機電池容量越來越大，從以前的可能2 000 mA·H 左右，到現在已經到5 000 mA·H。GaN 可以減少充電時間，占位體積變小。②手機及相關電子設備使用越來越多，有USB-A 口、USB-C 口，多頭充電器市場很大，這也是GaN 擅長的領域。2）電源適配器
蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應用研究取得系列成果
氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導體，作為第三代半導體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發展完善，現已廣泛應用于光電器件領域，如激光器（LD）、發光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗輻射性能和環境穩定性，使得其在核探測領域具有很好的
氮化鎵的的性質與穩定性
如果遵照規格使用和儲存則不會分解。避免接觸氧化物，熱，水分/潮濕。GaN在1050℃開始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射線衍射已經指出GaN晶體屬纖維鋅礦晶格類型的六方晶系。在氮氣或氦氣中當溫度為1000℃時GaN會慢慢揮發，證明GaN在較高的溫度下是穩定的，在1130℃時它的蒸
液相法氮化鎵晶體生長研究
GaN是一種寬帶隙半導體材料，具有高擊穿電壓、高的飽和電子漂移速度、優異的結構穩定性和機械性能，在高頻、高功率和高溫等應用領域具有獨特的優勢。在光電子和功率器件中具有廣闊的應用前景。在液相生長技術中，助溶劑法和氨熱法是生長高質量GaN的有效方法，該論文全面總結了這兩種方法生長GaN的研究進展，詳細分
氮化鎵功率芯片的發展趨勢分析
GaN 功率芯片主要以2 個流派在發展，一個是eMode 常開型，納微代表的是另一個分支——eMode 常關型。相比傳統的常關型的GaN 功率器件，納微又進一步做了集成，包括驅動、保護和控制的集成。GaN 功率芯片集成的優勢如下。1）傳統的Si 器件參數不夠優異，開關速率、開關頻率都受到極大限制，通
氮化鎵半導體材料的優點與缺陷
①禁帶寬度大（3.4eV），熱導率高（1.3W/cm-K），則工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強；②導帶底在Γ點，而且與導帶的其他能谷之間能量差大，則不易產生谷間散射，從而能得到很高的強場漂移速度（電子漂移速度不易飽和）；③GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷
蘇州納米所攜手上海三鑫開展氮化鎵基藍光激光器研究
簽約儀式 1月15日，在上海市科委的支持和雙方前期深入的溝通下，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所與上海三鑫科技發展有限公司就共同開展“氮化鎵基藍光激光器工程化技術”項目正式簽約。所長楊輝代表蘇州納米所與三鑫公司副總經理戴立勇簽訂了合作協議。 激光顯示被認為是繼黑白、彩色、數字顯
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
氮化鎵半導體材料光電器件應用介紹
GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批
氮化鎵是實現－5G－的關鍵技術
? 日前，與 SEMICON CHINA 2020 同期的功率及化合物半導體國際論壇 2020 在上海隆重舉行，Qorvo FAE 經理荀穎也在論壇上發表了題為《實現 5G 的關鍵技術—— GaN》的演講。 ?
氮化鎵半導體材料的反應方程式
GaN材料的生長是在高溫下，通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學反應實現的，其可逆的反應方程式為：Ga+NH3=GaN+3/2H2生長GaN需要一定的生長溫度，且需要一定的NH3分壓。人們通常采用的方法有常規MOCVD(包括APMOCVD、LPMOCVD)、等離子體增強MOCVD（PE—MOCVD
高性能氮化鎵晶體管研制成功
據美國物理學家組織網9月22日（北京時間）報道，法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。此前，氮化鎵只能用于（111）-硅上，而目前廣泛使用的由硅制成的互補性金屬氧化半導體（CMOS）芯片一般
微電子所在氮化鎵界面態研究方面取得進展
近日，中國科學院微電子研究所高頻高壓中心研究員劉新宇團隊等在GaN界面態研究領域取得進展，在LPCVD-SiNx/GaN界面獲得原子級平整界面和國際先進水平的界面態特性，提出了適用于較寬能量范圍的界面態U型分布函數，實現了離散能級與界面態的分離。 增強型氮化鎵MIS-HEMT是目前尚未成功商用
我團隊研制出世界首個氮化鎵量子光源芯片
4月18日，記者從電子科技大學信息與量子實驗室獲悉，近日，該實驗室研究團隊與清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯網研究平臺取得的又一項重要進展，相關成果發表在《物理評論快報》上。據了解，量子光源芯片是量子
我國團隊研制出世界首個氮化鎵量子光源芯片
4月18日，記者從電子科技大學信息與量子實驗室獲悉，近日，該實驗室研究團隊與清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯網研究平臺取得的又一項重要進展，相關成果發表在《物理評論快報》上。據了解，量子光源芯片是量子
我國團隊研制出世界首個氮化鎵量子光源芯片
近日，該實驗室研究團隊與清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯網研究平臺取得的又一項重要進展，相關成果發表在《物理評論快報》上。據了解，量子光源芯片是量子互聯網的核心器件，可以看作點亮“量子房間”的“量子燈
氮化鎵植于石墨烯可制成隨意折疊變形的LED材料
目前，許多由有機材料制造的電子和光電子材料都具備良好的柔韌度，易于改變形狀。與此同時，不易形變的無機化合物在制造光學、電氣和機械元件方面展現出了強大的性能。但由于技術原因，二者卻很難優勢互補，功能優異的無機化合物半導體也因不易塑形的特點而遇到了發展障礙。 幸好，氮化鎵與石墨烯的結合，部分實現了
首支硅襯底氮化鎵基激光器問世可大幅降低器件制造成本
中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關研究成果近日刊登在《自然—光子學》。 隨著半導體科技的高速發展，科技工作者發現基于傳統技術路線來進行芯片與系統之間的數據通信越來越難以滿足更快的
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（三）
SiC的高壓肖特基二極管應該是在幾年內在軌道交通中得到引用。而開關管的應用需要更長的系統評估。中車和國網在這方面的持續投入研發為SiC功率器件研究打下了深厚的基礎，是國家第三代半導體器件發展的中堅力量。 現在大家講第三代半導體產業往往關注于電力電子器件和射頻器件的市場，其實第三代半導體