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  • 一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元(四)

    VLT內存單元Kilopasss的全新內存單元基于一種垂直分布的閘流體(也被稱為半導體控制整流器,或SCR)。這種采取pnpn結構的堆棧建構于一個p-阱上,可帶走來自底部n型層的任何空洞。圖6:VLT內存單元:帶有寫入輔助的PMOS晶體管的閘流體在淺溝槽隔離(STI)結構中植入一個埋入式字符線,使底部的n層連接到一個字符。埋入式字符線與外部銅金屬M1層字符線透過具有較大電阻的金屬鎢實現連接,因而可以制造比傳統DRAM更長的字符線。由于感測機制并非采用電荷分配,使感測放大器可承受更長的位線。因此,這種技術可以支持高達2Kbit寬、4Kbit深或總共8M位的MAT——遠大于傳統的DRAM MAT。采用更少片較大型MAT拼接成的內存芯片較采用多片小尺寸MAT的花費更低,因而可使VLT內存的數組效率達到77%,相形之下,同樣采用2x-nm節點的傳統DRAM效率只有64%。以VLT內存單元打造LPDDR4內存MAT容量增大后,LP......閱讀全文

    一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元(四)

    VLT內存單元Kilopasss的全新內存單元基于一種垂直分布的閘流體(也被稱為半導體控制整流器,或SCR)。這種采取pnpn結構的堆棧建構于一個p-阱上,可帶走來自底部n型層的任何空洞。圖6:VLT內存單元:帶有寫入輔助的PMOS晶體管的閘流體在淺溝槽隔離(STI)結構中植入一個埋入式字符

    一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元(一)

    垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT),是Kilopass研發出的新型內存單元,能夠顯著降低動態隨機存取內存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜態的內存單元,無需刷新操作;兼容于現有晶圓廠的制造設備,也無需任何新的材料或工藝。相較于一般的DRAM,VLT

    一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元(二)

    1、半導體產業,設計和制造哪個難度大?制造難度更大些。●?現在兼顧設計和制造的公司比較少;●?只做設計公司很多,一般成為fabless,擁有電腦、軟件和設計工程師就可以完成設計,輸出設計后交由光罩廠、晶圓流片代工廠、封測廠生產器件。●?只做制造的成為fab廠,門坎較高,一條8英寸晶圓流片生產

    一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元(三)

    LPDDR的運作LPDDR4功能本質上包含四項基本操作:啟動、讀取、寫入和預充電。這些操作的其他變異形式,如突發讀取/寫入和自動預充電等,可能構成一個更長的指令列表,但并不至于帶來新的技術挑戰。此外,它還添加了刷新、訓練和模式緩存器作業等維護性指令,以因應復雜的操作命令。這些基本的操作簡要介

    一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元(五)

    免除刷新VLT內存單元最明顯的優點之一就是不需要刷新。不過,刷新已經成為DRAM作業的一部份了;無論內存處于閑置狀態或是被接通,都必須進行刷新操作,以避免數據丟失。完整的DDR控制器狀態機說明了刷新對于運作的影響,如圖9所示,所有紅色的狀態都與刷新或者基于刷新的分支相關;而使用了VLT技術,這些狀態

    英特爾3D-XPoint內存封裝逆向

    TechInsights的研究人員針對采用XPoint技術的英特爾Optane內存之制程、單元結構與材料持續進行深入分析與研究。英特爾(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint,打造出25年以來的首款新型態內存技術。2016年,英特爾發布采用3D XPoin

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    存內計算由于突破傳統馮·諾依曼架構瓶頸,實現了存儲單元與邏輯單元的融合,成為實現智能計算的主要技術路線之一,受到業界龍頭大廠的高度重視。在近日召開的國際固態半導體電路會議(ISSCC)上,SK海力士發表了基于GDDR接口的DRAM存內計算,臺積電共發表(或合作發表)6篇有關存內計算存儲器IP的論文。

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    基于粘附力的新型干細胞分離技術

      近日,美國佐治亞理工學院、ARUNA生物醫學公司以及密歇根大學等機構的研究人員開發出了一種名為μSHEAR(micro stem cell high-efficiency adhesion-based recovery)的新型干細胞分離技術,這一技術依據的是細胞間容易區分的粘附力物理差異。相關研

    新型計算機內存大幅減少能耗

    原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/503686.shtm

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    達摩院存算一體芯片實拍圖。達摩院供圖  12月3日,阿里巴巴達摩院(以下簡稱達摩院)宣布,該院已成功研發存算一體人工智能(AI)芯片。達摩院介紹,該存算一體芯片集成了多項創新技術,是全球首款使用“混合鍵合3D堆疊技術”實現存算一體的芯片。這一新型架構芯片的誕生,將有望助力存算一體技術從概念走向落地。

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    一文讀懂21世紀的新型疫苗技術

      疫苗開發的新方法包括基于結構的免疫原設計,基于基因的疫苗平臺以及具有有效佐劑的重組抗原制劑。這些技術在開發針對全球重要疾病(例如結核病,流感和呼吸道合胞病毒)的疫苗方面取得令人鼓舞的結果。在這里,我們重點介紹了過去 18 個月中這些領域中最重要的發展。圖片來源于網絡  最成功的疫苗能夠針對引起個

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    一文了解40種常用的芯片封裝技術(四)

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    DRAM前沿DRAM的電容器結構是高深寬比的“ 3D”器件,與當前的邏輯器件類似,DRAM沒有通過堆疊有源元件進行微縮。圖12在頂部表中按公司列出了DRAM節點,在圖底部是一些關鍵結構圖。圖12. DRAM節點。隨著DRAM節點前進到低于4x nm的水平,具有埋入式字線的埋入式鞍形鰭訪問晶體管開

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      分子蒸餾是一種特殊的液--液分離技術,它不同于傳統蒸餾依靠沸點差分離原理,而是靠不同物質分子運動平均自由程的差別實現分離。   當液體混合物沿加熱板流動并被加熱,輕、重分子會逸出液面而進入氣相,由于輕、重分子的自由程不同,因此,不同物質的分子從液面逸出后移動距離不同,若能恰當地設置一塊冷凝板

    TPU將成深度學習的未來?(一)

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    首先小編就幾個關鍵技術再給大家介紹一下。差分時鐘技術差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設計,但大家對CK#(CKN)的作用認識很少,很多人理解為第二個觸發時鐘,其實它的真實作用是起到觸發時鐘校準的作用。由于數據是在CK的上下沿觸發,造成傳輸周期縮短了一半,因此必須要保證傳輸周期的穩定以確保數

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      波通儀器公司推出DA7200近紅外分析系統新型檢測配件-漿狀液體檢測單元。此檢測單元可6秒鐘分析漿狀液體的多種參數。清理簡單,溫水沖洗即可。無故障,檢測漿狀和其它粘稠液體的準確度高。 可用于所有DA7200分析儀,無需硬件的改進。

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      從去年下半年開始,固態硬盤、內存條、以及閃存卡等存儲產品的價格就緩步增長,而在三星Note7接連自燃事件之后,固態硬盤、內存條的價格更是堪稱瘋漲。在去年第四季度,動態隨機存取記憶體(DRAM)現貨價持續攀高,DDR44Gb存儲芯片最近的現貨均價已達3.347美元,漲幅達18%,創18個月來新高。

    文斐:研究解決大型語言模型的存儲瓶頸問題

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    新型T細胞療法有望清除人體內存留的HIV病毒?

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    慢速內存和快速內存可“合二為一”

      本報訊據美國物理學家組織網1月20日報道,美國北卡羅萊納州立大學研究人員開發出一種新器件,該技術被認為是計算機內存研發領域取得的重大進步,將使大規模服務器群更節能,并使計算機的啟動變得更快。   計算機存儲器件傳統上具有兩種類型。慢速內存器件通常被用于諸如閃存這樣的持久性數據存

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