科學家研制新合金讓光電催化水解制氫更快捷
據美國物理學家組織網近日報道，美國科學家研制出了一種新的氮化鎵—銻合金，其能更方便地利用太陽光將水分解為氫氣和氧氣，這種新的水解制氫方法不僅成本低廉且不會排放出二氧化碳。 科學家們在美國能源部的資助下，借用最先進的理論計算證明，在氮化鎵（GaN）化合物中，2%的氮化鎵由銻（Sb）替代，這樣結合而成的新合金將擁有適宜的電學特性。當其浸入水中并暴露于陽光下時，會通過光電化學反應，借用太陽能將水分子中的氫原子和氧原子之間的化學鍵分開，將水分解為氫氣和氧氣。 氮化鎵是一種半導體，自上世紀90年代以來，其已被廣泛應用于制造發光二極管。銻最近幾年也越來越多地被用于微電子設備內。而這種氮化鎵—銻合金是首個簡單且容易制造的可通過光電反應水解制氫的材料。而且，在光電化學反應中，這種合金是催化劑，這意味著它并不會被消耗，因此可被不斷地回收利用，科學家們已經制造出了這種合金并正在測試其將水解制氫的效率。領導該研究的肯塔基大學計算機科......閱讀全文
美科學家研制氮化鎵制氫，讓光電催化水解制氫更快捷
2011年，美國科學家研制出了一種新的氮化鎵—銻合金，其能更方便地利用太陽光將水分解為氫氣和氧氣，這種新的水解制氫方法不僅成本低廉且不會排放出二氧化碳。 科學家們在美國能源部的資助下，借用最先進的理論計算證明，在氮化鎵(GaN)化合物中，2%的氮化鎵由銻(Sb)替代，這樣結合而成的新合金將擁有
廉價氮化鐵替代貴金屬降低制氫成本
韓國科學技術研究院研究人員開發出一種新結構零件，可大幅減少用于水電解裝置的貴金屬鉑和銥使用量，降低了綠氫的生產成本，同時開發出了確保與現有裝置同等性能和耐久性的技術。該研究將重點放在降低銥催化劑的使用量上，用廉價的氮化鐵代替電極保護層的貴金屬，并在其上均勻涂覆少量銥催化劑，提高了水電解裝置的經濟性。
氮化鎵的的光學特性
人們關注的GaN的特性，旨在它在藍光和紫光發射器件上的應用。Maruska和Tietjen首先精確地測量了GaN直接隙能量為3.39eV。幾個小組研究了GaN帶隙與溫度的依賴關系，Pankove等人估算了一個帶隙溫度系數的經驗公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。 Monemar測定了基本的
氮化鎵的的化學特性
在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質量差的GaN，可用于這些質量不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現不穩定特性，而在N2氣下最為穩定。
氮化鎵的的電學特性
GaN的電學特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型,最好的樣品的電子濃度約為4×1016/cm3。一般情況下所制備的P型樣品，都是高補償的。很多研究小組都從事過這方面的研究工作，其中中村報道了GaN最高遷移率數據在室溫和液氮溫度下分別為μn=600cm2/v·s和μn= 1
氮化鎵的的結構特性
結構特性GaN纖鋅礦結構圖GaN的晶體結構主要有兩種，分別是纖鋅礦結構與閃鋅礦結構。
氮化鎵的的化學特性
在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質量差的GaN，可用于這些質量不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現不穩定特性，而在N2氣下最為穩定。
核殼納米結構促進氫化鎂水解制氫
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519260.shtm廣東省科學院資源利用與稀土開發研究所聯合香港理工大學、深圳北理莫斯科大學，在國家自然科學基金、廣東省自然科學基金等項目的資助下，研究設計出核殼納米結構促進氫化鎂（MgH2）水解制氫。相
核殼納米結構促進氫化鎂水解制氫
廣東省科學院資源利用與稀土開發研究所聯合香港理工大學、深圳北理莫斯科大學，在國家自然科學基金、廣東省自然科學基金等項目的資助下，研究設計出核殼納米結構促進氫化鎂（MgH2）水解制氫。相關成果近日發表于《納米快報》（Nano Letters）。核殼納米結構的MgH2@Mg(BH4)2復合材料制備流程M
新合金讓光電催化水解制氫更快捷
據美國物理學家組織網近日報道，美國科學家研制出了一種新的氮化鎵—銻合金，其能更方便地利用太陽光將水分解為氫氣和氧氣，這種新的水解制氫方法不僅成本低廉且不會排放出二氧化碳。 科學家們在美國能源部的資助下，借用最先進的理論計算證明，在氮化鎵（GaN）化合物中，2%的氮化鎵由銻（S
科學家研制新合金讓光電催化水解制氫更快捷
據美國物理學家組織網近日報道，美國科學家研制出了一種新的氮化鎵—銻合金，其能更方便地利用太陽光將水分解為氫氣和氧氣，這種新的水解制氫方法不僅成本低廉且不會排放出二氧化碳。 科學家們在美國能源部的資助下，借用最先進的理論計算證明，在氮化鎵（GaN）化合物中，2%的氮化鎵由銻（Sb）替代
氮化鎵的的計算化學數據
1、疏水參數計算參考值（XlogP）：無2、氫鍵供體數量：03、氫鍵受體數量：14、可旋轉化學鍵數量：05、互變異構體數量：無6、拓撲分子極性表面積：23.87、重原子數量：28、表面電荷：09、復雜度：1010、同位素原子數量：011、確定原子立構中心數量：012、不確定原子立構中心數量：013、
氮化鎵襯底晶片實現“中國造”
蘇州納維生產的4 英寸GaN 單晶襯底 一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵（GaN）襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司（以下簡稱蘇州納維）的主打產品。 “不會游泳的
氮化鎵的的合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態金屬，并促使與氮化劑的接觸。2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細的GaP或GaAs也可制得GaN。
氮化鎵功率芯片的應用領域
1）手機充電器。主要有2 個原因，①手機電池容量越來越大，從以前的可能2 000 mA·H 左右，到現在已經到5 000 mA·H。GaN 可以減少充電時間，占位體積變小。②手機及相關電子設備使用越來越多，有USB-A 口、USB-C 口，多頭充電器市場很大，這也是GaN 擅長的領域。2）電源適配器
氮化鎵的的結構和應用特點
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性
氮化鎵半導體材料的應用前景
對于GaN材料，長期以來由于襯底單晶沒有解決，異質外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開發LED的 7年規劃，其目標是
液相法氮化鎵晶體生長研究
GaN是一種寬帶隙半導體材料，具有高擊穿電壓、高的飽和電子漂移速度、優異的結構穩定性和機械性能，在高頻、高功率和高溫等應用領域具有獨特的優勢。在光電子和功率器件中具有廣闊的應用前景。在液相生長技術中，助溶劑法和氨熱法是生長高質量GaN的有效方法，該論文全面總結了這兩種方法生長GaN的研究進展，詳細分
氮化鎵功率芯片的發展趨勢分析
GaN 功率芯片主要以2 個流派在發展，一個是eMode 常開型，納微代表的是另一個分支——eMode 常關型。相比傳統的常關型的GaN 功率器件，納微又進一步做了集成，包括驅動、保護和控制的集成。GaN 功率芯片集成的優勢如下。1）傳統的Si 器件參數不夠優異，開關速率、開關頻率都受到極大限制，通
氮化鎵半導體材料的優點與缺陷
①禁帶寬度大（3.4eV），熱導率高（1.3W/cm-K），則工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強；②導帶底在Γ點，而且與導帶的其他能谷之間能量差大，則不易產生谷間散射，從而能得到很高的強場漂移速度（電子漂移速度不易飽和）；③GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷
氮化鎵的的性質與穩定性
如果遵照規格使用和儲存則不會分解。避免接觸氧化物，熱，水分/潮濕。GaN在1050℃開始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射線衍射已經指出GaN晶體屬纖維鋅礦晶格類型的六方晶系。在氮氣或氦氣中當溫度為1000℃時GaN會慢慢揮發，證明GaN在較高的溫度下是穩定的，在1130℃時它的蒸
不飽和鎳表面氮化物助力穩定高效地電解海水制氫
阿德萊德大學喬世璋教授Adv. Mater.：不飽和鎳表面氮化物助力穩定高效地電解海水制氫 使用堿性電解槽和可再生能源生產高純度氫是實現能源和環境可持續性的一條有效途徑。目前的堿性水分解系統使用純水作為氫源。但是純水無法滿足可持續的工業制氫需求。海水作為一種綠色廉價的水資源，在電解水制氫領域具
氮化鎵半導體材料光電器件應用介紹
GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
氮化鎵是實現－5G－的關鍵技術
? 日前，與 SEMICON CHINA 2020 同期的功率及化合物半導體國際論壇 2020 在上海隆重舉行，Qorvo FAE 經理荀穎也在論壇上發表了題為《實現 5G 的關鍵技術—— GaN》的演講。 ?
氮化鎵半導體材料的反應方程式
GaN材料的生長是在高溫下，通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學反應實現的，其可逆的反應方程式為：Ga+NH3=GaN+3/2H2生長GaN需要一定的生長溫度，且需要一定的NH3分壓。人們通常采用的方法有常規MOCVD(包括APMOCVD、LPMOCVD)、等離子體增強MOCVD（PE—MOCVD
硝化、加氫、重氮化、水解多步反應連續合成
AI、人工智能已是全社會關注的熱點。而AI+化學，一天做1000個實驗，快速發現新分子似乎也正朝我們走來。未來的化學實驗室不再是人的天下，智能化設備將是高效的生產力。康寧反應器既耐壓又透明、可視的玻璃模塊極大地提升了連續流工藝開發和優化的效率。康寧反應器模塊化設計，可快速、靈活地組裝成滿足數千種不同
高性能氮化鎵晶體管研制成功
據美國物理學家組織網9月22日（北京時間）報道，法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。此前，氮化鎵只能用于（111）-硅上，而目前廣泛使用的由硅制成的互補性金屬氧化半導體（CMOS）芯片一般
微電子所在氮化鎵界面態研究方面取得進展
近日，中國科學院微電子研究所高頻高壓中心研究員劉新宇團隊等在GaN界面態研究領域取得進展，在LPCVD-SiNx/GaN界面獲得原子級平整界面和國際先進水平的界面態特性，提出了適用于較寬能量范圍的界面態U型分布函數，實現了離散能級與界面態的分離。 增強型氮化鎵MIS-HEMT是目前尚未成功商用
蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領域取得進展
近年來，大數據、互聯網和人工智能的快速發展，對數據處理的速度和效率提出了更高的要求。人類大腦是最復雜的計算系統之一，可以通過密集協調的突觸和神經元網絡同時存儲、整合和處理大量的數據信息，兼具高速和低功耗的優勢。受人腦的啟發，人工突觸器件應運而生。人工突觸器件因具有同時處理和記憶數據的能力而備受關