| 儀器名稱： | BENEQ 原子層沉積系統 |
| 儀器編號： | 09016504 |
| 產地： | 芬蘭 |
| 生產廠家： | BENEQ |
| 型號： | TFS200-106 |
| 出廠日期： | 200810 |
| 購置日期： | 200910 |
| 所屬單位： | 集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝 |
| 放置地點： | 微電子所新所一層微納平臺 |
| 固定電話： | |
| 固定手機： | |
| 固定email： | |
| 聯系人： | 曹秉軍（010-62784044,13910803625,caobj@mail.tsinghua.edu.cn） 竇維治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn） |
| 分類標簽： | 微納加工 原子層淀積 |
| 技術指標： | 原子層淀積，功率4kW，載氣：N2；生長精度：0.1nm，反應溫度：25~500C，樣品尺寸：20-200mm，生長方式：熱沉積/等離子體生長；熱源2個，溫度25~300C；冷源3個。 |
| 知名用戶： | 北京大學電子系物理電子學研究所，香港中文大學，清華大學化學系，清華大學物理系納米中心，清華大學微電子學研究所 |
| 技術團隊： | 設備管理：張志剛、竇維治 工藝開發與服務：沈姍姍 設備維護：田振 |
| 功能特色： | 制備氧化物，如氧化鉿、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭等，制備氮化物，如氮化鈦、氮化鉭等，精確到0.1納米。 |
樣品要求：
1、樣品大小：2.5~500px；2、樣品厚度不得超過5mm；3、樣品在沉積溫度內性能穩定，不能出現融化、灰化及其它污染腔體的情況；4、有機樣品須向管理員或工藝工程師說明樣品情況。
預約說明：
根據實驗室要求預約ALD使用。在預約ALD生長時，應提前跟工藝工程師聯系，包括提供生長參數，提前送樣，并及時取樣。如果需要更換使用時間請按照要求提前通知，沒有提前通知的按照實驗室相關規定處理。
| 項目名稱 | 計價單位 | 費用類別 | 價格 | 備注 |
|---|---|---|---|---|
| 送樣收費標準 | 元/小時 | 自主上機機時費 | 400.0 |