| 儀器名稱： | ICP設備(刻蝕機) |
| 儀器編號： | 02001849 |
| 產地： | 英國 |
| 生產廠家： | STS SURFACE TECN. |
| 型號： | MESC Multiplex |
| 出廠日期： | 200001 |
| 購置日期： | 200203 |
| 所屬單位： | 集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝 |
| 放置地點： | 微電子所新所一層工藝平臺 |
| 固定電話： | |
| 固定手機： | |
| 固定email： | |
| 聯系人： | 王喆垚（010-62772748,13552821122,z.wang@tsinghua.edu.cn） 竇維治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn） |
| 分類標簽： | 微納加工 深硅刻蝕 集成電路 |
| 技術指標： | 硅深槽刻蝕，刻蝕速率3um/min |
| 知名用戶： | 清華大學、北京大學、中科院微電子所 |
| 技術團隊： | 教授1人、副教授1人、工程師2人 |
| 功能特色： | 本設備可進行硅片深刻蝕，加工尺寸為4英寸及以下硅片。Si刻蝕速率為3um/min，光刻膠硅刻蝕選擇比為1：20,均勻性小于5%。 |
樣品要求：
單片式；硅片尺寸：4英寸及以下
預約說明：
實驗室的設備采用網上預約的方式、以先約先用為基本原則
取消預約需提前2個小時通過網上取消預約
| 項目名稱 | 計價單位 | 費用類別 | 價格 | 備注 |
|---|---|---|---|---|
| 深硅刻蝕 | 元/片 | 測試費 | 800.0 | 刻蝕深度≤30μm，800元/片，＞30μm的部分，加收150元/10μm |