ICPMS分析技術在半導體高純材料分析中的應用

電感耦合等離子體質譜分析法是將電感耦等離子體(ICP)技術和質譜(MS)技術結合起來， 利用等離子體作為離子源，由接口將等離子體中被 電離了的試樣離子引入質譜儀，用質譜儀對離子進行質量分析(按m／Z比值將不同的離子分開)并檢測記錄，根據所得質譜圖進行定性定量分析。

具有以下幾個優點：

(1)靈敏度高：ICP-MS儀器的靈敏度一般高 出lCP．AES一到兩個數量級，從而對多數元素能達 到更低的檢出限：

(2)動態線性范圍寬：

(3)可多元素同時分析；

(4)分析速度快，單個樣品一般在幾秒鐘內完成：

(5)分析元素范圍廣，能分析元素周期表中除碳、氫、氧外的絕大多數元素． 正因為這些優點，使ICP-MS分析技術廣泛應 用于半導體工業用高純材料的痕量雜質分析中．

主要進行的高純材料分析

1. IC硅片表面雜質分析

2. 光伏多晶硅、單晶硅雜質分析

3. 三氯氫硅、四氯化硅： ICP．MS法測定高純四氯化硅中們、V、cr、‘ Co、Ni、Cu、Pb、Zn、Mn九種金屬元素．

4. 超凈贏純試劑分析：括氫氟酸、硝酸、硫酸、鹽酸、氨水、雙氧水等超純無機試劑，和異丙醇(IP：A)、丙酮、四甲基氫氧化銨(TMAH)，N．甲基丙絡烷酮 (NMP)、丙二醇甲基醚乙酯(PGMEA)等超純有機試劑

5. 超純水分析

6. 高純氣體分析