PlasmaQuant?MS分析芯片制造過程中清洗液中的磷

　　在半導體行業需要應用ICP-MS監測芯片制造過程中的清洗液中磷的含量。磷的質荷比為31，會受到N15O16、Si28H1、N14O16H1等多原子離子的干擾，以至于背景信號特別高，檢出限難以滿足要求。故本實驗采用冷焰條件，通過P31O16測試某芯片制造廣生產過程中的清洗液。檢出限低至0.037ug/L，同時對比了熱焰情況下、ICPMS的測試結果及ICP-OES的測試結果，結果表明，三者結果相近。

　　挑戰

　　通過P31O16測試P，避免N15O16、Si28H1、N14O16H1的干擾，獲得更低檢出限。

　　基體

　　1%HNO3

　　目的

　　檢測低含量P

　　樣品和試劑

表 1 校準曲線

　　儀器方法

表2 PQMS配置參數

　　結果

表3 測試結果

表4 標準曲線及LOD

　　討論

　　本實驗采用冷焰條件，通過P31O16測試某芯片制造廣生產過程中的清洗液。線性相關系數0.999879，檢出限低至0.0374ug/L。同時對比了冷焰條件、熱焰條件下ICPMS的測試結果及ICP-OES的測試結果，結果表明，三者結果相近，充分證明了采用冷焰條件，通過測試P31O16測試樣品中的P是一種可靠的方法。