SiCLED研究中取得進展為我國SiC產業注入新活力

　　中國科學院上海硅酸鹽研究所與半導體研究所通過聯合攻關，在SiC-LED技術路線方面中涉及的核心技術，如SiC單晶襯底、外延、芯片和燈具封裝等方面取得了突破性進展，研制出了多種結構的SiC-LED，并封裝成了燈具，完全打通了SiC-LED技術路線，為SiC-LED技術在半導體照明產業領域的推廣打下了基礎。

　　半導體照明是一種基于LED的新型光源的固態照明，被認為照明領域的第三次技術革命。襯底材料是半導體照明產業技術發展的基礎，不同的襯底材料決定了LED外延生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術。因此，襯底材料決定了半導體照明技術的發展路線，目前用于LED的襯底材料主要有藍寶石、碳化硅（SiC）、硅以及金屬襯底。以藍寶石為襯底的LED生產技術最成熟，在整個半導體照明產業中占主導地位，但是由于藍寶石材料特性限制了其在高光效、大功率LED方面的應用。SiC單晶襯底材料晶格常數和熱膨脹系數與GaN材料更為接近，晶格失配率僅為3.5％，加之良好的導電性能和導熱性能，能夠較好地解決高光效、大功率LED器件的散熱問題。目前美國Cree公司廣泛使用SiC襯底材料生產高光效、大功率LED，并在高端LED市場中占據著主導地位。當前，中國還沒有企業采用SiC-LED技術路線，一方面原因是SiC襯底加工相比于藍寶石襯底昂貴，另一方面是SiC-LED核心技術主要被美國Cree掌握。上海硅酸鹽所是國內最早開始研發SiC單晶材料的單位，經過十余年的積累，攻克了大尺寸、高質量SiC單晶襯底材料的一系列關鍵技術，在上海硅酸鹽所中試基地（高新技術企業）形成了批量生產SiC單晶襯底的生產線。依托國內最先進的創新研發平臺之一，即半導體所的“中國科學院半導體照明研發中心”，上海硅酸鹽所與半導體照明研發中心發揮各自優勢，將繼續在SiC-LED技術方面進行創新研究，為我國SiC產業發展注入活力。

　　上海硅酸鹽所聯合半導體所在SiC-LED研究中取得進展。