面向大半導體市場工業級客戶與研發型客戶使用需求設計的范用型等離子處理設備，適用于等離子清洗、活化以及刻蝕等多種應用。設備可在嚴苛環境下穩定運行，獲得高度均一化的處理效果。
I 金屬鍵合(wire-bond)前的等離子清洗
通過等離子表面處理可以去除焊盤表面的外來污染物與金屬氧化物，提供一個清潔的焊接面，提升后續金屬鍵合工藝的良率以及鍵合強力。
II 塑封(Molding)前的等離子清洗
等離子清洗、活化工藝可以去除器件表面各種納米級的污染物殘留，并提升表面能，保證塑封料與基底材料的緊密結合，減少分層等不良的產生。
III 底部填充(Underfill)前的等離子清洗：
通過等離子表面處理可以去除焊盤表面的外來污染物與金屬氧化物，提供一個清潔的焊接面，提升后續金屬鍵合工藝的良率以及鍵合強力。
IV 光刻膠的去除(Descum)：
在微電子行業中，使用等離子去除光刻膠是一種常用的工藝，通過等離子處理可以去除顯影后孔底的殘膠，并對孔的側壁形貌就行修飾，提升后續工藝良率。此外，濕法去膠后，用等離子去除表面殘留的納米級光刻膠殘留也可有效提升后續工藝良率。
? 13.56MHz射頻電源與自動匹配系統，具有優異的穩定性與可重復性
? 靈活的電極結構設置與優化的氣體饋入、分布方案，確保大批量處理的均勻性
? 精準安全的反應源供應系統，可滿足多種工藝需求
? PLC與工控機提供穩定的過程控制，設備運行的實時參數通過顯示屏直觀呈現
? 系統穩定可靠，易于保養與維護
| 設備尺寸 | 寬*深*高 | 700W x 1200D x 1810H mm -- 2215H mm 帶信號燈高度 |
| 腔體 | 尺寸 | 518W x 648D x 518H mm |
| 容積 | 173L | |
| 電極數量 | 8（可選配1~8） | |
| 電極間距 | 57mm | |
| 電極 | 功率電極尺寸 | 405W x 450D mm |
| 接地電極尺寸 | 477W x 450D mm | |
| 射頻系統 | 射頻功率及頻率 | 1250W/13.56MHz |
| 氣體控制 | 氣路配置 | 標配兩路 / 最多可擴充至5路氣體 |
| 真空泵 | 標準配置 | 65m3/h油泵 / 80m3/h干泵（可選） |
| 5-25L/min | ||
| 干泵冷卻水流量 | 3~7L/min | |
| 廠務要求 | 供電要求 | 380V, 16A, 50Hz, 3-Phase, 11AWG, 5-Wire |
| 工藝氣體接口及尺寸 | 1/4英寸卡套接口 | |
| 工藝氣體種類及純度 | CF4 = 99.97%; O2 = 99.996%; N2 = 99.99%; Ar = 99.999%; 其余氣體請咨詢JETPLASMA | |
| 工藝氣體壓力 | 15~20 psig | |
| 吹掃氣體種類及純度 | N2=99.99% | |
| 吹掃氣體壓力 | 10-60 psig | |
| 氣動用接口及尺寸 | 1/4英寸卡套接口 | |
| 氣動用氣體及壓力 | CDA, 60~90 psig | |
| 排氣口接口及尺寸 | KF40 | |
| 環境溫度 | 5~40℃ | |
| 相對濕度 | 40~60% |