室溫下在俄歇電子能譜(AES)分析儀超高真空室中,通入適量O2,促使基底U表面氧化,生成UO2,然后利用Ar+槍濺射鋁箔,使鋁沉積在UO2表面形成Al薄膜。沉積過程中實時采集UO2表面的AES譜和低能電子損失譜(EELS),原位分析鋁薄膜在UO2表面的生長過程和膜間界面反應。研究表明,室溫下,UO2表面的鋁薄膜以島狀方式生長;鋁與UO2之間存在相互作用,電子從鋁原子向UO2中的鈾離子轉移,由于表面吸附氧的作用,在UO2/Al界面處存在少量的Al2O3;沉積Al原子與UO2之間發生明顯的擴散行為,鋁向UO2中擴散,形成了一個氧化態鈾、金屬鈾和鋁三者共存區。