分子束外延要點解析
一、分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE)簡介 在超高真空環境下， 使具有一定熱能的一種或多種分子 (原子) 束流噴射到晶體襯底 ，在襯底表面發生反應的過程，由于分子在 "飛行"過程中幾乎與環境氣體無碰撞 ，以分 子束的形式射向襯底 ，進行外延生長， 故此而得名。 屬性: 一種真空蒸鍍方法 始創: 20世紀70年代初期，美國Bell實驗室 應用: 外延生長原子級精確控制的超薄多層二維結構材料和器件(超品格、量子阱、調制摻雜異質結、量子阱激光器 、高電子遷移率晶體管等) ；結合其他工藝，還可制備一維和 零維的納米材料(量子線、量子點等）。......閱讀全文
分子束外延要點解析
一、分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE)簡介 在超高真空環境下， 使具有一定熱能的一種或多種分子 (原子) 束流噴射到晶體襯底 ，在襯底表面發生反應的過程，由于分子在 "飛行"過程中幾乎與環境氣體無碰撞 ，以分 子束的形式射向襯底 ，進行外延生長， 故此而得名。
分子束外延（MBE）解析及原理
分子束外延技術是在半導體工藝中近十幾年來發展起來的一項新技術，它是在超高真空條件下，類似于真空蒸發鍍把構成晶體的各個組分和予摻雜的原子(分子)，以一定的熱運動速度，按一定的比例從噴射爐中噴射到基片上去進行晶體外延生長而制備單晶膜的一種方法。簡稱MBE法 分子束外延，就是在超高真空系統中把所需要
分子束外延（MBE)
分子束外延設備有很多種。但就其主要結構而論是大同小異的。分子束外延的設備較其他外延技術的設備復雜，要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展過程看，當初主要是為開發以GaAs為中心的Ⅲ-V族化合物半導體，而后是針對Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體，最近正轉向針對Si半導體器件的應用
分子束外延（MBE）裝置
MBE裝置由樣品進樣室、預處理分析室和牛K竄等組成。竄間用閘扳閥隔開，以確保生長室的超高真空與清潔。 根據MBE系統的幾何結構相應地配置真空系統。根據要求，3個室的真空配置的配置泵的系統并非一樣： (1)進樣室。真空度為1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1
分子束外延（MBE）的特點
（1）生長速率極慢，大約1um/小時，相當于每秒生長一個單原子層，因此有利于實現精確控制厚度、結構與成分和形成陡峭的異質結構等。實際上是一種原子級的加工技術，因此MBE特別適于生長超晶格材料。 （2）外延生長的溫度低，因此降低了界面上熱膨脹引入的晶格失配效應和襯底雜質對外延層的自摻雜擴散影響。
影響分子束外延（MBE）的因素
1、外延溫度 為了引起外延，基片的溫度應達到某一溫度值，即有必要加熱到外延溫度以上，當溫度低于外延溫度時則不能引起外延。而且外延溫度還與其他條件有關，不同條件下的外延溫度是不同的。 2、基片結晶的臂開 在過去的常規研究方面，基片結晶是在大氣下臂開(機械折斷產生結晶面)而后放入真空裝置中來制
分子束外延（MBE）的發展前景
分子束外延自20世紀60年代末在真空蒸鍍的基礎上產生以來，發展十分迅速。其中之一是引入氣態的分子束源，構成所謂化學束外延(CBE)。用砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)生長InGaAsP等四元材料，或將金屬有機化合物引入分子束源形成所謂金屬有機化合物分子束外延(MOMBE)。這兩項新技術是把MBE
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