中國22納米技術獲重大突破　趕上英特爾

　　中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心(以下簡稱先導工藝研發中心)通過4年的艱苦攻關，在22納米關鍵工藝技術先導研究與平臺建設上，實現了重要突破，在國內首次采用后高K工藝成功研制出包含先進高K/金屬柵模塊的22納米柵長MOSFETs，器件性能良好。

　　據《中國科學報》報道，由于這一工作采用了與工業生產一致的工藝方法和流程，具備向產業界轉移的條件，因而對我國集成電路產業的技術升級形成了具有實際意義的推動作用。同時，該先導工藝研發中心建成了一個能夠開展22納米及以下技術代研發的工藝平臺。

　　這標志著，我國也加入了高端集成電路先導工藝研發的國際俱樂部。

　　優勢互補“穿插偵察”齊上陣

　　4位“千人計劃”、5位中科院百人計劃，30多位工業界核心的工程師團隊……先導工藝研發中心擁有這樣一支令人艶羨的國際化研發團隊。

　　“我們整個項目團隊在構架上做得比較好。海歸跟本土團隊結合得水乳交融，形成優勢互補。”該中心主任趙超表示。

　　2009年，在國家科技重大專項02專項的支持下，微電子所成團隊引進了一大批海歸，建成了擁有200多名研發人員的集成電路先導工藝研發中心。

　　楊世寧、朱慧瓏、趙超、閆江4位“千人”在磨合中迅速形成優勢互補的決策團隊，在4年艱苦的攻關中擰成一股繩，打出了漂亮的短傳配合。

　　例如，楊世寧原是中芯國際的首席運營官，現任中科院微電子所所長執行顧問一職。他具有非常豐富的產業化運營經驗，是一個“會做減法的人”，能始終把握主干，而將枝枝葉葉修剪掉，使項目迅速有效率地直奔目標。