原子發射光譜分析中，什么是譜線的自吸和自蝕

　　1. 譜線強度

　　影響譜線強度的因素有以下幾個方面。

　　(1)激發電位：譜線強度與激發電位的關系是負指數關系。激發電位越高，譜線強度就越小。這是由于激發電位越高，處于該激發態的原子數越少。實踐證明，絕大多數激發電位較低的譜線都是比較強的，激發電位最低的共振線往往是最強線。

　　(2)躍遷概率：躍遷是指原子的外層電子從高能級跳躍到低能級發射出光子的過程。躍遷概率是指兩能級間的躍遷在所有可能發生的躍遷中的概率。譜線強度與躍遷概率成正比。

　　(3)統計權重：譜線強度與激發態和基態的統計權重之比賊正比。

　　(4)激發溫度：溫度升高，譜線強度增大。但溫度升高，電離的原子數目也會增多，而相應的原子數減少。不同譜線各有自己適宜的激發溫度。

　　譜線強度與基態原子數成正比。一定條件下，基態原子數與試樣中該元素濃度成正比。因此，在一定實驗條件下譜線強度與被測元：素的濃度成正比，這是光譜定量分析的依據。

　　2. 譜線的自吸和自蝕

　　原子發射光譜的激發光源都有一定的體積，在光源中，粒子密度與溫度在各部位分布并不均勻，中心部位的溫度高，邊緣部位的溫度低。元素的原子或離子從光源中心部位輻射被光源邊緣處于較低溫度狀態的同類原子吸收，使發射光譜強度減弱，這種現象稱為譜線的自吸。譜線的的自吸不僅影響譜線強度，而且影響譜線形狀。

　　一般當元素含量高，原子密度增大時，產生自吸。當原子密度增大到一定程度時，自吸現象嚴重，譜線的峰值強度完全被吸收，這種現象稱為譜線的自蝕。在元素光譜表中，用r表示自吸線，用R表示自蝕線。