離子注入機的應用
離子注入機是集成電路制造前工序中的關鍵設備，離子注入是對半導體表面附近區域進行摻雜的技術，其目的是改變半導體的載流子濃度和導電類型。離子注入與常規熱摻雜工藝相比可對注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴散等方面進行精確的控制，克服了常規工藝的限制，提高了電路的集成度、開啟速度、成品率和壽命，降低了成本和功耗。離子注入機廣泛用于摻雜工藝，可以滿足淺結、低溫和精確控制等要求，已成為集成電路制造工藝中必不可少的關鍵裝備。......閱讀全文
離子注入機的應用
離子注入機是集成電路制造前工序中的關鍵設備，離子注入是對半導體表面附近區域進行摻雜的技術，其目的是改變半導體的載流子濃度和導電類型。離子注入與常規熱摻雜工藝相比可對注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴散等方面進行精確的控制，克服了常規工藝的限制，提高了電路的集成度、開啟速度、成品率和壽命，降低了
離子注入機的原理
離子注入機由離子源、離子引入和質量分析器、加速管、掃描系統和工藝腔組成，可以根據實際需要省去次要部位。離子源是離子注入機的主要部位，作用是把需要注入的元素氣態粒子電離成離子，決定要注入離子的種類和束流強度。離子源直流放電或高頻放電產生的電子作為轟擊粒子，當外來電子的能量高于原子的電離電位時，通過
離子注入機概述
? 離子注入機是高壓小型加速器中的一種，應用數量最多。它是由離子源得到所需要的離子，經過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導體材料、大規模集成電路和器件的離子注入，還用于金屬材料表面改性和制膜等。? ?中文名：離子注入機 ??? ?外文名:Ion implanter ? ??? ?屬? ?性
離子注入機的結構組成
離子注入機由5部分組成：離子源、離子引出和質量分析器、加速管、掃描系統、工藝腔。 1、離子源 離子注入機利用離子源中燈絲產生的熱電子在電場的作用下轟擊氣體分子，使之電離。待注入的雜質源如果是氣態，便可以直接引入到離子源的電場中，如果是固態，則還需加熱蒸發，變為氣相后引入到這個電場中。氣相的雜
離子注入機有哪些類型
常用的生產型離子注入機主要有三種類型：低能大束流注入機、高能注入機和中束流注入機，如下表所示：離子注入機類型離子注入機類型能量范圍注入劑量范圍工藝中的主要應用低能大束流離子注入機0.2keV~100keV超淺結、源漏注入、多晶硅柵極注入等高能離子注入機~MEV深埋層等 低能大束流離子注入機：大
氦質譜檢漏儀半導體設備及材料檢漏應用
真空設備在半導體行業中的應用愈來愈廣泛，例如真空鍍膜設備（蒸發，濺射），干法雷設備，熱處理設備（合金爐，退火爐），摻雜設備（離子注入機等）這些真空設備作為半導體技術發展不可或缺的條件必將起到越來越重要的作用。 真空設備在半導體行業中的應用愈來愈廣泛，例如真空鍍膜設備（蒸發，濺射），干法雷設備（
低溫泵簡介
低溫泵是利用低溫表面冷凝氣體的真空泵，又稱冷凝泵。低溫泵可以獲得抽氣速率最大、極限壓力最低的清潔真空，廣泛應用于半導體和集成電路的研究和生產，以及分子束研究、真空鍍膜設備、真空表面分析儀器、離子注入機和空間模擬裝置等方面。
二次資源利用讓難熔金屬“熔爐中重生”
鎢、鉭、鈮、錸和鉬……難熔金屬在原子能、航空航天、電子信息和醫學診療等涉及國家安全和國計民生的高科技領域具有極為重要的用途。但是，近10年來，世界鎢工業所消耗的大部分鎢資源來自中國，造成我國這類優質戰略資源的儲藏量大幅下降。 26日，記者從北京理工大學獲悉，十年磨一劍，由北京理工大學、中國船舶
離子束的離子源的主要參數
①離子摻雜與離子束改性。從20世紀60年代開始，人們將一定能量的硼、磷或其他元素的離子注入到半導體材料中，形成摻雜。摻雜的深度可用改變離子的能量來控制；摻雜的濃度可通過積分離子流強度來控制。離子注入方法的重復性、可靠性比擴散法好。離子注入摻雜在半導體大規模集成電路的生產中已成為重要環節，用離子注入法
我國碳化硅器件制造關鍵裝備研發取得重大進展
以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產業是全球戰略競爭新的制高點。SiC器件具有極高的耐壓水平和能量密度，可有效降低能量轉化損耗和裝置的體積重量，滿足電力傳輸、機車索引、新能源汽車、現代國防武器裝備等重大戰略領域對高性能、大功率電力電子器件的迫切需求，被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器