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9月1日，清華大學醫學院顏寧教授研究組在《自然》（Nature）期刊發表題為《電壓門控鈣離子Cav1.1通道3.6埃分辨率結構》（Structure of the voltage-gated calcium channel Cav1.1 at 3.6 angstrom resolution）的研究長文（Research Article），報道了首個真核電壓門控鈣離子通道的近原子分辨率三維結構，為理解眾多具有重要生理和病理功能的電壓門控鈣離子和鈉離子通道的工作機理奠定了基礎。 電壓門控離子通道是一大類位于細胞膜上、通過感受電信號控制離子跨膜進出細胞的蛋白質。上世紀四五十年代，英國科學家霍奇金和赫胥黎發現了動作電位；之后發現電壓門控鈉離子通道（Nav通道）引發動作電位，而電壓門控鉀離子通道（Kv通道）則能使細胞去極化，恢復至靜息電位。五十年代，科學家發現在沒有鈉離子的情況下，依賴鈣離子也能產生動作電位，這是由電壓門控鈣離子通道......閱讀全文
1、晶閘管（SCR）晶體閘流管簡稱晶閘管，也稱為可控硅整流元件（SCR），是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上，晶閘管不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性，它只有導通和關斷兩種狀態。晶閘管的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在
受晶格對稱性的影響，晶體材料中熱導率、電導率、介電常數、拉曼張量等基本物理量常常呈現出內稟的各向異性。例如，石墨中ab面內的電導率比面外(c方向)高三個量級，這種面內外的強各向異性在三維塊體范德華材料中比較常見。近年來，隨著二維材料研究的發展，各種面內的各向異性新現象不斷涌現。其中，晶格對稱性較
研究發現，當條件合適時，在電子關聯氧化物異質界面LaAlO3/SrTiO3（LAO/STO）附近可形成二維電子液體。與常規半導體二維電子氣不同，勢阱中的電子具有d電子特征，可以占據不同的d軌道，從而帶來了一系列新特性，例如磁場依賴的輸運行為、鐵磁性和超導電性等。 由于維度限制，二維電
要點：1、雖然每個小組可以優化局部功耗，但單個團隊不可能創建出一個低功耗設計。反之，任何一個小組都可能摧毀這種努力。2、功率估計是一種精確的科學。但是，只有當你擁有了一個完整設計和一組正確的矢量后，這種概念才為真。3、對任何問題而言，處理器通常是能效最低的方法，但因為它們具備了功能多重性，一般可以用
3、晶閘管的伏安特性和主要參數3．1、晶閘管的伏安特性晶閘管陽極A與陰極K之間的電壓與晶閘管陽極電流之間關系稱為晶閘管伏安特性，如圖2所所示。正向特性位于第一象限，反向特性位于第三象限。圖2 晶閘管伏安特性參數示意圖（1） 反向特性當門極G開路，陽極加上反向電壓時（見圖3），J2結正偏，但J1、J2
離子液體調控因為強大的電荷調控能力吸引了研究人員的廣泛關注，可以用來實現許多新穎物理現象的人工調制，比如金屬-絕緣體相變、磁性相變、超導轉變等。隨著研究的不斷深入，人們逐漸發現在離子液體門電壓作用下，除了凈電荷的作用外，尤其在氧化物里常常伴隨著復雜的離子插入/脫出過程。 中國科學院物理研究所/
真正的二維物質具有量子效應和其它奇特現象，如一個原子厚的碳原子層石墨烯，具有獨特的力學、電學和光學屬性。還有一種二維電子氣（2DEG），是平面電子集合，位于特殊半導體（如砷化鎵）間的接口，具有量子霍爾效應、自旋霍爾效應等現象。 據物理學家組織網9月10日（北京時間）報道，對平面電子集合二維物質
二、新講解方法： 1、切入點： 要想很自然地說明問題，就要選擇恰當地切入點。講三極管的原理我們從二極管的原理入手講起。二極管的結構與原理都很簡單，內部一個PN結具有單向導電性，如 示意圖B。很明顯圖示二極管處于反偏狀態，PN結截止。我們要特別注意這里的截止狀態，實際上PN結截
電路給我們的感覺總是枯燥無味的，讓人感覺高深莫測的一門學科。然而，正是這們學科在不斷的改造我們的生活，我們也無時無刻不再感嘆他的奇妙，有時我們在不知不覺中也感受到他的樂趣。這便是簡單邏輯電路在生活中的應用。在我們生活中簡單防盜報警器，電熱水器等許許多多的應用讓我們不斷在其中體會到了科學與生活的緊密關
為了解決傳統VCE在檢測大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的短路故障時存在的問題，在分析了IGBT短路特性的基礎上，提出了一種基于兩級電流變化率(di/dt)檢測IGBT兩類短路故障的策略。該策略可以使驅動器更早地采取保護措施，限制IGBT的短路電流和短路功耗，減小關斷尖峰電壓。基
發明人正解：Flexar SQ 300和AxION 2 TOF MS TOF質譜在OEM時就很成功：先后用于半導體行業、和病毒細菌快速檢測 前文已述，AoB從90年代開始做ESI-TOF MS，第一代產品是Corsair。當時OEM給一家半導體公司，它裝到半導體生產線上做樣品檢測，很
近期，中國科學院合肥物質科學研究院醫學物理與技術中心光譜質譜研究室在離子遷移譜研究方面取得新的進展，發展的遷移譜離子門交流疊加電控技術方法，實現了分辨率增強或者靈敏度增強離子遷移譜儀工作新模式。該工作發表在《傳感與驅動B: 化學》（Sensors and Actuators B: Chemica
最近，中國科學院北京納米能源與系統研究所王中林院士領導的研究小組將摩擦納米發電機與傳統場效應晶體管相結合，研制出接觸起電場效應晶體管，首次提出了摩擦電子學（Tribotronics）這一新的研究領域。相關研究成果于8月16日在線發表于ACS Nano（DOI: 10.1021/nn5039806
Cascode相當于由GaN HEMT和低壓MOSFET組成：GaN HEMT可承受高電壓，過電壓能力達到750 V，并提供低導通電阻，而低壓MOSFET提供低門極驅動和低反向恢復。HEMT是高電子遷移率晶體管的英文縮寫，通過二維電子氣在橫向傳導電流下進行傳導。圖1：GaN內部架構及
認識半導體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅。1957年美國通用電氣公司開發出世界上第一款晶閘管產品，并于1958年將其商業化。晶閘管是PNPN四層半導體結構，形成三個PN結，分別稱：陽極，陰極和控制極。圖 晶閘管的結構晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接
傳統使用VCE進行短路檢測時，因需兼顧檢測一類短路和二類短路的需要，VCE需要較高的閾值，這使得驅動器只能在IGBT退飽和時的VCE快速上升階段檢測到IGBT的短路狀態。利用兩級di/dt分別檢測兩類短路，會在VCE檢測盲區時間內就檢測到兩類短路狀態。因此，無論是一類短路還是二類短路，利
據美國物理學家組織網4月28日（北京時間）報道，美國科學家使用自主設計的、精確的原子逐層排列技術，構造出了一個超薄的超導場效應晶體管，以洞悉絕緣材料變成高溫超導體的環境細節。發表于當日出版的《自然》雜志上的該突破將使科學家能更好地理解高溫超導性，加速無電阻電子設備的研發進程。 普通絕緣材
一、預防性維護 1、保持機房、實驗房、監測用房(監控箱)以及設備的清潔，避免儀器振動，保證監測用房內的溫度就、濕度滿足儀器正常運行的需求。 2、保持各儀器管路通暢，出水正常，無漏液。 3、對電源控制器、空調等輔助設備要進行經常性的檢查。 4
基本集電極耦合晶體管單穩態多諧振蕩器電路及其相關波形如上所示。首次上電時，晶體管 TR2 的基極通過偏置電阻連接到 Vcc ， R T 從而使晶體管“完全導通”并進入飽和狀態，同時在此過程中將 TR1 “關閉”。然后，這表示具有零輸出的電路“穩定狀態”。因此，流入 TR2 的飽和基極端的電流將等于
近日，中科院金屬所研究人員利用范徳華人工堆垛技術，在少數原子層硫化鉬與金屬電極之間插層高質量六方氮化硼（h-BN）隧穿結構，成功制造出能夠通過門電壓調制的雙極反向整流器件。 該項研究工作由沈陽材料科學國家（聯合）實驗室磁學與磁性材料研究部研究員張志東與韓拯主持，國內外多家科研單位共同合作完成
? 為什么在骨干網，長距傳輸上選擇了相干光通信？? 了解相干光通信之前所需的知識儲備? QPSK，QAM等復雜調制格式具體實現的方式 在光通信行業里，我們經常聽到400G和100G傳輸，而相干光通信和PAM4傳輸技術在數據中
4、集電極電流Ic的形成： 如圖C，發射結加上正偏電壓導通后，在外加電壓的作用下，發射區的多數載流子——電子就會很容易地被大量發射進入基區。這些載流子一旦進入基區，它們在基區（P區）的性質仍然屬于少數載流子的性質。如前所述，少數載流子很容易反向穿過處于反偏狀態的PN結，所以，這些載流子
氧氮氫分析儀的常見故障及解決方法： 1、氧和氮空白值超過20。這是由于氣流小，不能將爐子中的空氣驅趕出去。可調節氣體流量，調節載氣壓力在0.2～0.4MPa。接通儀器載氣，放一個石墨坩堝在下電極上，打開主電源開關，點擊軟件上的關爐按鈕，關閉爐子并等待10s。調節流量調節器，直到流量計a
Sigma超速離心機是由Sigma公司制造，上世紀80年代在中國市場推出后，起初一般作為實驗室離心機使用，由于該種機型有較好的離心性能，又采用微電腦芯片進行中央控制，自動化程度較高，有一定的故障自診斷功能，目前廣泛應用于生物制藥行業的梯度離心工藝。超速離心機多數是20世紀90年代的產品，使用時間較長
5810R超速離心機是由Beckman公司制造，上世紀80年代在中國市場推出后，起初一般作為實驗室離心機使用，由于該種機型有較好的離心性能，又采用微電腦芯片進行中央控制，自動化程度較高，有一定的故障自診斷功能，目前廣泛應用于生物制藥行業的梯度離心工藝。5810R超速離心機多數是20世紀90年代的產品
(a)基于垂直于基片生長的納米線所設計的納米發電機((VING)。(b)基于平行于基片多行生長的納米線所設計的納米發電機(LING)。(c)基于一行平行于基片生長的氧化鋅納米線所組成的納米發電機。(d)在微小形變下能產生1.2伏輸出電壓的納米發電機的光學照片。 繼2006年發明納米發電
氧氮氫分析儀的常見故障及解決方法： 1、氧和氮空白值超過20。這是由于氣流小，不能將爐子中的空氣驅趕出去。可調節氣體流量，調節載氣壓力在0.2～0.4MPa。接通儀器載氣，放一個石墨坩堝在下電極上，打開主電源開關，點擊軟件上的關爐按鈕，關閉爐子并等待10s。調節流
氧氮氫分析儀的常見故障及解決方法：1、氧和氮空白值超過20。這是由于氣流小，不能將爐子中的空氣驅趕出去。可調節氣體流量，調節載氣壓力在0.2～0.4MPa。接通儀器載氣，放一個石墨坩堝在下電極上，打開主電源開關，點擊軟件上的關爐按鈕，關閉爐子并等待10s。調節流量調節器，直到流量計a顯示為30L/h
據美國物理學家組織網12月21日（北京時間）報道，德國科學家研制出一種新式的通用晶體管，其既可當p型晶體管又可當n型晶體管使用，最新晶體管有望讓電子設備更緊湊；科學家們也可用其設計出新式電路。相關研究發表在最新一期的《納米快報》雜志上。 目前，大部分電子設備都包含兩類不同的場效應晶體管：
硬質快速門，集保溫、節能、密封、高效、抗風、環保于一身的新型金屬工業門，硬質快速門的開啟速度快速安全，適用于需要頻繁高速的物流通道、倉儲、恒溫廠房、冷庫等需要快速開關門減少流量的廠房內。該門型適用于室內外物流及生產的快速通道。采用該門型能為企業節約大量因空氣流通而產生能量損耗，比普通工業滑升門、