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據美國物理學家組織網12月21日（北京時間）報道，德國科學家研制出一種新式的通用晶體管，其既可當p型晶體管又可當n型晶體管使用，最新晶體管有望讓電子設備更緊湊；科學家們也可用其設計出新式電路。相關研究發表在最新一期的《納米快報》雜志上。 目前，大部分電子設備都包含兩類不同的場效應晶體管：使用電子作為載荷子的n型和使用空穴作為載荷子的p型。這兩種晶體管一般不會相互轉化。而德累斯頓工業大學和德奇夢達公司攜手研制的新式晶體管可通過電信號對其編程，讓其自我重新裝配，游走于n型晶體管和p型晶體管之間。 新晶體管由單條金屬—半導體—金屬結構組成的納米線嵌于一個二氧化硅外殼中構成。從納米線一端流出的電子或空穴通過兩個門到達納米線的另一端。這兩個門采用不同方式控制電子或空穴的流動：一個門通過選擇使用電子或空穴來控制晶體管的類型；另一個門則通過調諧納米線的導電性來控制電子或空穴。 傳統晶體管通過在制造過程中摻雜不同元素來確......閱讀全文
第三個問題，技術節點的縮小過程中，晶體管的設計是怎樣發展的。首先要搞清楚，晶體管設計的思路是什么。主要的無非兩點：第一提升開關響應度，第二降低漏電流。為了講清楚這個問題，最好的方法是看圖。晶體管物理的圖，基本上搞清楚一張就足夠了，就是漏電流-柵電壓的關系圖，比如下面這種：橫軸代表柵電壓，縱軸
1、晶體管晶體管有很多種，包括當前還有多種結構的晶體管被發明出來。本質上，晶體管的工作都是表現為一個受控的電流源或電壓源，其工作機制是將不含內容的直流的能量轉化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得，晶體管加以消耗，并轉化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有區別，這也是
半導體制造工藝節點是如何演進的？晶體管的架構是怎樣發展成如今模樣的？下面告訴你...半導體制造的工藝節點，涉及到多方面的問題，如制造工藝和設備，晶體管的架構、材料等。下面，我們就具體介紹并分析一下，供大家參考。首先，技術節點是什么意思呢？常聽說的，諸如，臺積電16nm工藝的Nvidia GP
晶體管原理及應用晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。晶體管作為一種可變開關．基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可用作電流的開關。和一般
巨頭英特爾（Intel）創始人之一Gordon Moore在1965年提出了業界著名的“摩爾定律（Moore's Law）”，大意為：集成電路上的元器件（例如晶體管）數目，每隔18個月至兩年便會增加一倍，性能也將提升一倍。摩爾定律在一定程度上反映了現代電子工業的飛速發展，但時至今日，隨著
8月9日出版的《科學》(Science)雜志刊發了復旦大學微電子學院張衛課題組最新科研論文，該課題組提出并實現了一種新型的微電子基礎器件：半浮柵晶體管(SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor)。這是我國科學家在該頂級學術期刊上發表的第一篇微電子器件領域的原創性成
2013年2月27日，質檢總局公布第二批部門計量檢定規程清理結果，本次清理范圍涉及輕工、電子、化工、建材、民航等領域，涉及的儀器包括實驗室、表面粗糙度儀等大量儀器。詳情如下： 國家質量監督檢驗檢疫總局《關于公布第二批部門計量檢定規程清理結果的公告》(2013年第32號) 2013年第32號
目前有機薄膜晶體管(OTFT)的綜合性能已經達到商用非晶硅水平，其鮮明的低生產成本和高功能優點已顯示出巨大的市場潛力和產業化價值。有機薄膜晶體管將很快成為新一代平板顯示的核心技術。 將成新一代平板顯示核心技術 有機薄膜晶體管(OTFT，organic thin film transistor
晶體管原理及應用晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。晶體管作為一種可變開關．基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可用作電流的開關
這篇應用筆記描述了硅鍺技術是如何提高 RF 應用中 IC 性能的。文中使用 Giacoleto 模型分析噪聲的影響。SiGe 技術顯示出更寬的增益帶寬從而可以給出更小的噪聲。SiGe 技術在線性度方面的影響還在研究中。 在蜂窩手機和其他數字的、便攜式、無線通信
據物理學家組織網12月6日(北京時間)報道，美國普渡大學和哈佛大學的研究人員推出了一項極為應景的新發明：一種外形如同一顆圣誕樹一樣的新型晶體管，其重要組件“門”(柵極)的長度縮減到了突破性的20納米。這個被稱為“4維”晶體管的新事物預告了引領半導體工業和未來計算機領域發展的潮流。該研究成果將于1
基本概念 射頻功率放大器(RF PA)是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大（緩沖級、中間放大級、末級功率放大級）獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的
繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統（又稱輸入回路）和被控制系統（又稱輸出回路），通常應用于自動控制電路中，它實際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動開關”。故在電路中起著自動調節、安全保護、轉換電路等作用。 繼電器的繼電特性 繼電器的輸入信號 x 從零連續增加達到銜鐵
神經元晶體管(vFET)作為一種多功能、智能化的晶體管，在人造神經網絡應用中起著重要的作用。這類晶體管是通過電容耦合效應計算多端輸入信號的加權和，來控制晶體管的導通和截止，能量消耗少，非常類似于人工神經元器件的工作模式。這類器件是在傳統硅基電路的基礎上發展起來的，采用復雜的CMOS 工藝制作
自從特朗普把“美國優先”樹立為美國政府制定政策的標準以來，美國的各個產業部門都應景地涌現出“使美國再次偉大”的方案和計劃來，其中自然少不了電子行業。美國國防高級研究計劃局(DARPA)作為美國軍用技術研究主要管理部門適時地啟動了電子復興計劃。 該計劃旨在團結美國的產業界和學術界，以重振美國略顯
近日，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、中科院納米器件與應用重點實驗室秦華團隊公布了能夠在液氮溫度下靈敏探測太赫茲波黑體輻射的氮化鎵基高電子遷移率晶體管探測器研究結果，首次直接驗證了天線耦合的場效應晶體管可用于非相干太赫茲波的靈敏探測。結果發表于《應用物理快報》[]，并被 APL&n
晶體管中的電介質柵被換成一種雙層分子材料 晶體管制造一般是用玻璃作基底材料，這有利于在多變的環境下保持穩定，從而保證用電設備所需的電流。據美國物理學家組織網1月27日報道，美國佐治亞理工大學研究人員最近開發出一種雙層界面新型晶體管，性能極為穩定，還能在可控的環境中，以低于150攝氏
近日，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、中科院納米器件與應用重點實驗室秦華團隊公布了能夠在液氮溫度下靈敏探測太赫茲波黑體輻射的氮化鎵基高電子遷移率晶體管探測器研究結果，首次直接驗證了天線耦合的場效應晶體管可用于非相干太赫茲波的靈敏探測。結果發表于《應用物理快報》[Appl. Phys. L
據美國物理學家組織網2月2日(北京時間)報道，來自IBM、蘇黎世理工學院和美國普渡大學的工程師近日表示，他們構建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管，而這種尺寸正是未來十年計算技術所需的。這種微型晶體管能有效控制電流，在極低的工作電壓下，仍能保持出眾的電流密度，甚至可超過同尺
場效應晶體管是電子學的基本元件。有機場效應晶體管由于其在柔性、大面積、低成本的電子紙、射頻商標和存儲器件等方面的潛在應用而受到人們的廣泛關注，是有機半導體材料和器件研究領域中的重要前沿方向之一。在中國科學院（先導B）、國家自然科學基金委和科技部的大力支持下，中國科學院化學研究所有機固體重點實驗室
1-3、輸入輸出匹配電路 匹配電路的目的是在選擇一種接受的方式。對于那些想提供更大增益的晶體管來說，其途徑是全盤的接受和輸出。這意味著通過匹配電路這一個接口，不同的晶體管之間溝通更加順暢，對于不同種的放大器類型來說，匹配電路并不是只有“全盤接受”一種設計方法。一些直流小、
砷化銦晶體管的中心是酞菁染料分子，其周圍環繞著12個帶正電的銦原子。 在一個砷化銦晶體上，12個帶正電的銦原子環繞著一個酞菁染料分子，這就是科學家最新研制的分子大小的晶體管。按照摩爾定律的硬限制，這很可能是一個晶體管所能達到的最小尺寸。 新型晶體管是由德國PDI固體電子學研究所、柏林自由大學、日
2008年，美國普渡大學的一個研究團隊曾提出利用負電容原理制造新型低功耗晶體管的概念。近日，加州大學伯克利分校的研究人員通過實驗對這一概念進行了驗證演示。研究人員利用一層極薄的二硫化鉬二維材料半導體層作為臨近晶體管柵極的溝道。然后，利用鐵電材料氧化鋯鉿制作新型負電容柵極的關鍵組件。該研究內已于2
在國家自然科學基金創新研究群體項目（項目編號：61621061）等資助下，北京大學電子學系、納米器件物理與化學教育部重點實驗室張志勇教授團隊與彭練矛教授團隊合作，在高能效新型晶體管研究領域取得重要進展。研究成果以“Dirac-source Field-effect Tr
1.8HKMG技術當MOS器件的特征尺寸不斷縮小45nm及以下時，為了改善短溝道效應，溝道的摻雜濃度不斷提高，為了調節閾值電壓Vt，柵氧化層的厚度也不斷減小到1nm。1nm厚度的SiON柵介質層已不再是理想的絕緣體，柵極與襯底之間將會出現明顯的量子隧穿效應，襯底的電子以量子的形式穿過柵介質層進入柵，
據美國物理學家組織網4月19日（北京時間）報道，由美國匹茲堡大學領導的一個研究小組日前宣布，他們制造出了一種核心組件直徑只有1.5納米的超小型單電子晶體管。該裝置是制造下一代低功耗、高密度超大規模集成電路理想的基本器件，具有極為廣泛的應用價值。相關論文發表在最新一期《自然·納米技術
時鐘速度（clock speed）是衡量一款電腦速度的重要標準，目前，個人計算機的時鐘速度已經達到GHz級別，然而這還不夠瘋狂，現已有科學家運用石墨烯把該速度提高到了讓人們吃驚的100GHz。 日前，莫斯科物理與技術研究院（MIPT）的科學家已經找到利用石墨烯來提高隧道電流的方法。石墨烯本質
據美國物理學家組織網3月27日(北京時間)報道，美國圣母大學和賓夕法尼亞州立大學的科學家們表示，他們借用量子隧穿效應，研制出了性能可與目前的晶體管相媲美的隧穿場效應晶體管(TFET)。最新技術有望解決目前芯片上晶體管生熱過多的問題，在一塊芯片上集成更多晶體管，從而提高電子設備的計算能力。
據美國物理學家組織網3月27日(北京時間)報道，美國圣母大學和賓夕法尼亞州立大學的科學家們表示，他們借用量子隧穿效應，研制出了性能可與目前的晶體管相媲美的隧穿場效應晶體管(TFET)。最新技術有望解決目前芯片上晶體管生熱過多的問題，在一塊芯片上集成更多晶體管，從而提高電子設備的計算能力。
晶體管開關電路（工作在飽和態）在現代電路設計應用中屢見不鮮，經典的74LS，74ALS等集成電路內部都使用了晶體管開關電路，只是驅動能力一般而已。TTL晶體管開關電路按驅動能力分為小信號開關電路和功率開關電路；按晶體管連接方式分為發射極接地（PNP晶體管發射極接電源）和射級跟隨開關電路。發射