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    王中林高分子納米線陣列取得突破

    相關論文發表于《先進材料》和《物理化學雜志C》 科學家發現一普適通用的制造高分子納米線陣列的新方法。這些納米線陣列可廣泛應用于不同的器件,并對高分子材料的發展起到重要的推動作用。這一生長及其控制方法發表于《先進材料》(Advanced Materials,2009,21,2072)和《物理化學雜志C》(Journal of Physical Chemistry C,2009,113,16571). 無機半導體納米材料一直是人們研究的熱點,并取得了巨大的成功。然而,有機材料的相關研究則相當缺乏并面臨種種困難。人們企圖用模板合成高分子納米線,但納米線從模板中分離相當困難,并且分離后納米線的取向也不能保持。 美國佐治亞理工學院(Georgia Institute of Technology)王中林教授的研究小組利用感應耦合等離子(ICP)刻蝕發現了一種普適的制造高分子納米線陣列制備的方法。......閱讀全文

    王中林高分子納米線陣列取得突破

    相關論文發表于《先進材料》和《物理化學雜志C》  ?? 科學家發現一普適通用的制造高分子納米線陣列的新方法。這些納米線陣列可廣泛應用于不同的器件,并對高分子材料的發展起到重要的推動作用。這一生長及其控制方法發表于《先進材料》(Advanced Materials,2009,21,2072)和《

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