PN結半導體探測器的類型
擴散結(Diffused Junction)型探測器 采用擴散工藝——高溫擴散或離子注入 ；材料一般選用P型高阻硅，電阻率為1000；在電極引出時一定要保證為歐姆接觸，以防止形成另外的結。 金硅面壘(Surface Barrier)探測器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N結。工藝成熟、簡單、價廉。 存在的矛盾 由于一般半導體材料的雜質濃度和外加高壓的限制，耗盡層厚度為1～2mm。 對強穿透能力的輻射而言，探測效率受很大的局限。......閱讀全文
PN結半導體探測器的類型
擴散結(Diffused Junction)型探測器 采用擴散工藝——高溫擴散或離子注入 ；材料一般選用P型高阻硅，電阻率為1000；在電極引出時一定要保證為歐姆接觸，以防止形成另外的結。 金硅面壘(Surface Barrier)探測器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/c
PN結半導體探測器的工作原理
多數載流子擴散，空間電荷形成內電場并形成結區。結區內存在著勢壘，結區又稱為勢壘區。勢壘區內為耗盡層，無載流子存在，實現高電阻率，遠高于本征電阻率 [4] 。 在P-N結上加反向電壓，由于結區電阻率很高，電位差幾乎都降在結區。 反向電壓形成的電場與內電場方向一致。 在外加反向電壓時的反向電流
半導體探測器簡介
半導體探測器是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和硅，其基本原理與氣體電離室相類似，故又稱固體電離室。半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號。常用半導體探測器有 P-N結型半導體探測器、 鋰漂
半導體探測器的基本原理和特點
基本原理 半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號 [2] 。 我們把氣體探測器中的電子－離子對、閃爍探測器中被 PMT第一打拿極收集的電子 及半導體探測器中的電子－空穴對統稱為探測器的信息載流子。產生每個信息載流
高純鍺(HPGe)半導體探測器的相關介紹
簡介 隨著鍺半導體材料提純技術的進展，已可直接用超純鍺材料制備輻射探測器。它具有工藝簡單、制造周期短和可在室溫下保存等優點。用超純鍺材料還便于制成X、γ射線探測器,既可做成很大靈敏體積，又有很薄的死層,可同時用來探測X和γ射線。高純鍺探測器發展很快，有逐漸取代鍺。 工作原理 采用高純度的
水平石墨烯pn異質結陣列構建－及其光電探測研究獲進展
傳統半導體p-n異質結是雙極型晶體管和場效應晶體管的核心結構，是現代集成電路技術的基礎。同樣，構建石墨烯p-n異質結也是未來發展基于石墨烯的集成電路和光電探測技術的關鍵。由于石墨烯材料單原子層厚度的限制，難以通過傳統集成電路制造工藝中的離子注入技術，實現石墨烯材料的可控摻雜。另外，原位生長摻雜、
半導體探測器簡介
半導體探測器（semiconductor detector）是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和硅，其基本原理與氣體電離室相類似。半導體探測器發現較晚，1949年麥凱（K.G.McKay）首次用α 射線照射PN結二極管觀察到輸出信號。5O年代初由于晶體管問世后，
砷化鎵pn結注入式激光器的結構功能
中文名稱砷化鎵p-n結注入式激光器英文名稱gallium arsenide p-n junction injection laser定 義以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行于結面的方向射出激光的激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科
砷化鎵pn結注入式激光器的功能介紹
中文名稱砷化鎵p-n結注入式激光器英文名稱gallium arsenide p-n junction injection laser定 義以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行于結面的方向射出激光的激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科
光探測器的類型
光電倍增管、熱電探測器、半導體光探測器等。 在半導體光探測器中光電二極管體積小，靈活度高，響應速度快，在光纖通信系統中得到了廣泛的應用，常見的光電二極管有倆種：PIN光電二極管和雪崩光電二極管(APD)
什么是半導體異質結
半導體異質結構一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以是Si-Ge之類的半導體合金。按異質結中兩種材料導帶和價帶的對準情況可以把異質結分為Ⅰ型異質結和Ⅱ型異質結兩種，兩種異質結的能帶結構異質結圖冊，I型異質結的能帶結構是嵌套式對準的,窄帶材料的
什么是半導體異質結
半導體異質結構一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以是Si-Ge之類的半導體合金。按異質結中兩種材料導帶和價帶的對準情況可以把異質結分為Ⅰ型異質結和Ⅱ型異質結兩種，兩種異質結的能帶結構異質結圖冊，I型異質結的能帶結構是嵌套式對準的,窄帶材料的
簡介光電池的特殊結構
光電池是一種特殊的半導體二極管，能將可見光轉化為直流電。有的光電池還可以將紅外光和紫外光轉化為直流電。光電池是太陽能電力系統內部的一個組成部分，太陽能電力系統在替代電力能源方面正有著越來越重要的地位。最早的光電池是用摻雜的氧化硅來制作的，摻雜的目的是為了影響電子或空穴的行為。其它的材料，例如CI
半導體探測器的發展歷史
半導體探測器的前身可以認為是晶體計數器 。早在1926年就有人發現某些固體電介質在核輻射下產生電導現象。后來，相繼出現了氯化銀、金剛石等晶體計數器。但是，由于無法克服晶體的極化效應問題，迄今為止只有金剛石探測器可以達到實用水平。半導體探測器發現較晚，1949年開始有人用α 粒子照射鍺半導體點接觸
有機無機雜化寬光譜探測器研究獲進展
有機-無機雜化寬光譜探測器研究獲進展? ? ? ? 近年來，有機-無機復合的光探測器以其低能耗，響應速度快，體積和重量顯著減小，且易大面積生產，高機械柔性等特點引起人們的極大關注，同時，該器件在光通信，觸感器，紅外探測等軍事和國民經濟的各個領域有著廣泛的應用。 由于該器件不僅結合的有機半導體易大
能帶結構圖怎么理解
如何考察結構能帶如何考察一個能帶（DOS）結構和復雜的相互作用 Part 1 Electric conductivity and Band structures固體計算最終結果將以能帶結構展示出來，關于能帶結構，固體中化學鍵分析，軌道之間的相互作用的解釋等是一個復雜的過程，這里只是簡單的根據本人的經
光電導效應在基礎光電器件中的應用
(1)在探測器中的應用利用光電導效應原理工作的探測器稱為光電導探測器。作為半導體材料的一種體效應，光電導效應無須形成p-n結。光照越強，光電導材料的電阻率越小，故光電導材料又稱為光敏電阻。不含雜質的光敏電阻一般在室溫下工作，適用于可見光和近紅外輻射探測，含雜質的光敏電阻通常必須在低溫條件下工作，常用
光探測器的類型簡介
光電倍增管 由光電陰極和裝在真空管內的倍增器組成，有很高的增益和很低的噪聲，但尺寸較大且需要較高的偏置電壓，不適合光纖通信系統。 熱電探測器 包含了從熱能到光能的轉換，這種探測器的響應在相當寬的光譜范圍內都是平坦的，但響應速度很慢也不適合光纖通信系統。 半導體光探測器 在半導體光探測器
光電導效應在基礎光電器件中的應用
在基礎光電器件中的應用(1)在探測器中的應用利用光電導效應原理工作的探測器稱為光電導探測器。作為半導體材料的一種體效應，光電導效應無須形成p-n結。光照越強，光電導材料的電阻率越小，故光電導材料又稱為光敏電阻。不含雜質的光敏電阻一般在室溫下工作，適用于可見光和近紅外輻射探測，含雜質的光敏電阻通常必須
能帶結構圖怎么理解
如何考察結構能帶如何考察一個能帶（DOS）結構和復雜的相互作用 Part 1 Electric conductivity and Band structures固體計算最終結果將以能帶結構展示出來，關于能帶結構，固體中化學鍵分析，軌道之間的相互作用的解釋等是一個復雜的過程，這里只是簡單的根據本人的經
半導體探測器的應用領域
隨著科學技術不斷發展需要，科學家們在鍺鋰Ge(Li)、硅鋰Si(Li)、高純鍺HPGe、金屬面壘型等探測器的基礎上研制出許多新型的半導體探測器，如硅微條、Pixel、CCD、硅漂移室等，并廣泛應用在高能物理、天體物理、工業、安全檢測、核醫學、X光成像、軍事等各個領域。世界各大高能物理實驗室幾乎都采用
半導體探測器的基礎知識
半導體原子規則排列成點陣狀態。其最小單元叫作晶包，對鍺來講是小四面體，即金剛石結構。電子在晶體中為晶包所公有，形成能帶結構，如圖4-1-1所示。下面的能帶稱為價帶，又稱滿帶，平時被電子填滿。中間是禁帶（又稱能隙）。上面是導帶，平時沒有電子（又稱空帶）。在價帶以下還有更低能量的價帶；在導帶以上還有更高
半導體ATE設備類型
臺式或一體化設備(通常帶有GPIB或以太網控制) 基于VXI的卡式單元(需要計算機控制/接口和平臺) 由PC驅動的便攜式設備(通常帶有以太網或USB控制) 獨立的可編程單元(通常為臺式) 自定義機架安裝單元，可將各種自定義或購買的組件組合在一起，可能具有自定義接口和互連功能 此外，還有
半導體基礎知識及PN結
在我們的日常生活中，經常看到或用到各種各樣的物體，它們的性質是各不相同的。有些物體，如鋼、銀、鋁、鐵等，具有良好的導電性能，我們稱它們為導體。相反，有些物體如玻璃、橡皮和塑料等不易導電，我們稱它們為絕緣休(或非導體)。還有一些物體，如鍺、硅、砷化稼及大多數的金屬氧化物和金屬硫化物，它們既不象導體那樣
紅外探測器有哪些類型
被動紅外探測器的工作原理：1、被動紅外探測器，其傳感器包含兩個互相串聯或并聯的熱釋電元。而且制成的兩個電極化方向正好相反，環境背景輻射對兩個熱釋電元幾乎具有相同的作用，使其產生釋電效應相互抵消，于是探測器無信號輸出，一旦入侵人進入探測區域內，人體紅外輻射通過部分鏡而聚焦，從而被熱釋電元接收，但是兩片
光譜分析儀的光源二極管激光器介紹
二極管激光器(diode laser)技術取得了一些顯著進展。二極管激光器體積小且廉價，具有開發激光原子光譜分析儀器的良好前景。目前，其主要的缺陷是在光譜藍端發射的激光穩定性 不夠，且使用壽命短。下圖所示是典型的小型半導體激光器(300μm× 250μm× 125μm)的結構示意圖。激光介質是一個空
紅外測距儀的結構組成
紅外測距儀主要由調制光發射單元、接收單元、測相單元、計數顯示單元、邏輯控制單元和電源變換器等部分組成。其光源通常為砷化稼(GaAs)半導體發光二極管。當有相當大的電流正向通過GaAs二極管的P-N結時，P-N結里就會發射出波長為0.72μm、0.94μm的近紅外光，這是由于在摻雜的GaAs半導體中電
紅外光電測距儀的構造與組成
紅外測距儀主要由調制光發射單元、接收單元、測相單元、計數顯示單元、邏輯控制單元和電源變換器等部分組成。其光源通常為砷化稼(GaAs)半導體發光二極管。當有相當大的電流正向通過GaAs二極管的P-N結時，P-N結里就會發射出波長為0.72μm、0.94μm的近紅外光，這是由于在摻雜的GaAs半導體中電
少數載流子壽命測試方案
少數載流子壽命，又稱為非平衡少數載流子壽命，是半導體材料中的一個重要參數，它指的是在半導體中少數載流子（對于n型半導體為空穴，對于p型半導體為電子）的平均生存時間，即少數載流子從產生到復合所經歷的平均時間間隔。少數載流子壽命常用τ表示，其倒數1/τ表示單位時間內少數載流子的復合幾率。少數載流子壽命的
鄭直小組合成新型異質結薄膜太陽能電池材料
河南許昌學院表面微納米材料研究所鄭直課題組最近在新型異質結薄膜太陽能電池材料研發方面取得新進展。相關成果日前發表于英國皇家化學會主辦的《道爾頓》雜志。 據了解，傳統的單晶硅太陽能電池雖然具有較高的穩定性和光電轉化效率，但隨著能源和環境兩方面問題的日益突出，其生產和應用受到挑戰。一個重要原因是p