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擴散結(Diffused Junction)型探測器 采用擴散工藝——高溫擴散或離子注入 ；材料一般選用P型高阻硅，電阻率為1000；在電極引出時一定要保證為歐姆接觸，以防止形成另外的結。 金硅面壘(Surface Barrier)探測器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N結。工藝成熟、簡單、價廉。 存在的矛盾 由于一般半導體材料的雜質濃度和外加高壓的限制，耗盡層厚度為1～2mm。 對強穿透能力的輻射而言，探測效率受很大的局限。......閱讀全文
擴散結(Diffused Junction)型探測器 采用擴散工藝——高溫擴散或離子注入 ；材料一般選用P型高阻硅，電阻率為1000；在電極引出時一定要保證為歐姆接觸，以防止形成另外的結。 金硅面壘(Surface Barrier)探測器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/c
多數載流子擴散，空間電荷形成內電場并形成結區。結區內存在著勢壘，結區又稱為勢壘區。勢壘區內為耗盡層，無載流子存在，實現高電阻率，遠高于本征電阻率 [4] 。 在P-N結上加反向電壓，由于結區電阻率很高，電位差幾乎都降在結區。 反向電壓形成的電場與內電場方向一致。 在外加反向電壓時的反向電流
半導體探測器是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和硅，其基本原理與氣體電離室相類似，故又稱固體電離室。半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號。常用半導體探測器有 P-N結型半導體探測器、 鋰漂
半導體探測器（semiconductor detector）是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和硅，其基本原理與氣體電離室相類似。半導體探測器發現較晚，1949年麥凱（K.G.McKay）首次用α 射線照射PN結二極管觀察到輸出信號。5O年代初由于晶體管問世后，
半導體探測器的前身可以認為是晶體計數器 。早在1926年就有人發現某些固體電介質在核輻射下產生電導現象。后來，相繼出現了氯化銀、金剛石等晶體計數器。但是，由于無法克服晶體的極化效應問題，迄今為止只有金剛石探測器可以達到實用水平。半導體探測器發現較晚，1949年開始有人用α 粒子照射鍺半導體點接觸
傳統半導體p-n異質結是雙極型晶體管和場效應晶體管的核心結構，是現代集成電路技術的基礎。同樣，構建石墨烯p-n異質結也是未來發展基于石墨烯的集成電路和光電探測技術的關鍵。由于石墨烯材料單原子層厚度的限制，難以通過傳統集成電路制造工藝中的離子注入技術，實現石墨烯材料的可控摻雜。另外，原位生長摻雜、
丁肈中領導的AMS實驗，目標是在宇宙線中尋找反物質和暗物質。它的探測器核心部分的徑跡室采用了多層硅微條探測器。由美國、法國、意大利、日本、瑞典等參加的GLAST實驗組的大面積γ射線太空望遠鏡的核心部分也使用了多層硅微條探測器，總面積大于80平方米，主要用來作為γ→ e-+e+ 的對轉換過程的徑跡
簡介 隨著鍺半導體材料提純技術的進展，已可直接用超純鍺材料制備輻射探測器。它具有工藝簡單、制造周期短和可在室溫下保存等優點。用超純鍺材料還便于制成X、γ射線探測器,既可做成很大靈敏體積，又有很薄的死層,可同時用來探測X和γ射線。高純鍺探測器發展很快，有逐漸取代鍺。 工作原理 采用高純度的
趨勢 上述各種γ射線探測器均須在低溫下工作。人們日益注意探索可在常溫下探測γ射線的半導體材料。一些原子序數較大的化合物半導體，如碲化鎘、砷化鎵、碘化汞、硒化鎘等，均已用于制備X、γ射線探測器,并已取得不同程度的進展。 應用領域 隨著科學技術不斷發展需要，科學家們在鍺鋰Ge(Li)、硅鋰Si
基本原理 半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號 [2] 。 我們把氣體探測器中的電子－離子對、閃爍探測器中被 PMT第一打拿極收集的電子 及半導體探測器中的電子－空穴對統稱為探測器的信息載流子。產生每個信息載流