俄歇電子能譜（3）
俄歇躍遷對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發，內層 電子被 電離， 留下一個空穴。 此時原子處于激發態， 不穩定。 較高能級上的一個電子降落到內層能級的空位中去，同時放出多余的能量。 這些能量可以作為光子發射特征射線，也可以轉移給第三個電子并使之發射出來。 這就是俄歇電子。 通常用射線能級來標志俄歇躍遷。 例如KL1L2俄歇電子就是表示最初K能級被電離，L1能級的電子填入K能級空位，多余的能量傳給了L2能級上 的一個電子，并使之發射出來。能量公式對于原子序數為Z的原子,俄歇電子的能量可以用下面經驗公式計算：EWXY(Z)=EW(Z)-EX(Z)-EY(Z+ Δ)-Φ式中， EWXY(Z)：原子序數為Z的原子，W空穴被X電子填充得到的俄歇電子Y的能量......閱讀全文
俄歇電子的產生和俄歇電子躍遷過程
一定能量的電子束轟擊固體樣品表面，將樣品內原子的內層電子擊出，使原子處于高能的激發態。外層電子躍遷到內層的電子空位，同時以兩種方式釋放能量：發射特征X射線；或引起另一外層電子電離，使其以特征能量射出固體樣品表面，此即俄歇電子。俄歇躍遷的方式不同，產生的俄歇電子能量不同。上圖所示俄歇躍遷所產生的俄歇電
俄歇電子能譜
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出來的
俄歇電子能譜
俄歇電子能譜簡稱AES，是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出來的電子稱為俄歇電子。1953年，俄歇電子能譜逐漸開始被實際應用
俄歇電子產額
俄歇電子產額或俄歇躍遷幾率決定俄歇譜峰強度，直接關系到元素的定量分析。俄歇電子與特征X射線是兩個互相關聯和競爭的發射過程。對同一K層空穴，退激發過程中熒光X射線與俄歇電子的相對發射幾率，即熒光產額(PX)和俄歇電子產額(PA )滿足 PX + PA =1
俄歇電子能譜（1）
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出
俄歇電子能譜儀
俄歇電子能譜儀（Auger Electron Spectroscopy，AES），作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是：在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高；數據分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段，但現在它已成為常規分析
俄歇電子能譜（3）
俄歇躍遷對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發，內層 電子被 電離， 留下一個空穴。 此時原子處于激發態， 不穩定。 較高能級上的一
俄歇電子譜應用方向
1、通過俄歇電子譜研究化學組態：原子“化學環境”指原子的價態或在形成化合物時，與該(元素)原子相結合的其它(元素)原子的電負性等情況。2、定性分析：對于特定的元素及特定的俄歇躍遷過程，其俄歇電子的能量是特征的。由此，可根據俄歇電子的動能來定性分析樣品表面物質的元素種類。3、定量分析或半定量分析：俄歇
俄歇電子能譜（2）
基本原理物理原理入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。俄歇電子和X射線產額入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子
平行俄歇電子分析儀
俄歇電子能譜(AES)是目前用于固體最表層原子元素標識的一種方法,對于許多先進電子設備的研發至關重要,而且也廣泛應用于從氣相化學到納米結構表征等多個領域。現有AES硬件仍存在著笨重、昂貴、速度慢等問題,而且需要超高真空環境來實現分析功能。英國約克大學研制的分析儀可在一秒鐘內捕捉到全部俄歇光譜。
平行俄歇電子分析儀
俄歇電子能譜法(AES)是一種了解固體原子層面特性的方法,這一方法對開發許多最先進的電子設備至關重要,已經成功應用于從氣相化學到納米結構特性的廣泛領域。?
俄歇電子像的功能介紹
中文名稱俄歇電子像英文名稱Auger electron image定 義在掃描電子顯微鏡中，用俄歇電子所成的像。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），電子光學儀器-電子光學儀器一般名詞（三級學科）
俄歇電子像的功能介紹
中文名稱俄歇電子像英文名稱Auger electron image定 義在掃描電子顯微鏡中，用俄歇電子所成的像。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），電子光學儀器-電子光學儀器一般名詞（三級學科）
俄歇電子能譜的原理
向樣品照射電子束后，電子和物質之間產生劇烈的相互作用，如下圖（上)所示，各種電子和電磁波被釋放出來。由于其中俄歇電子具備各個元素特有的能量，所以如對能譜進行解析，可以鑒定物質表面所存在的元素(定性分析)通過峰強度對比則可以定量測定元素(定量分析)。另外，俄歇電子在物質中非彈性散射情況下前進的距離（平
俄歇電子能譜儀簡介
俄歇電子能譜儀（AugerElectronSpectroscopy，AES），作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是：在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高；數據分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段，但現在它已成為常規分析
俄歇電子能譜法（AES）
AES可以用于研究固體表面的能帶結構、表面物理化學性質的變化（如表面吸附、脫附以及表面化學反應）；用于材料組分的確定、純度的檢測、材料尤其是薄膜材料的生長等。俄歇電子能譜（Auger Electron Spectrometry，簡稱AES）是用具有一定能量的電子束(或X射線)激發樣品俄歇效應，通過檢
俄歇電子能譜的特點
①俄歇電子的能量是靶物質所特有的，與入射電子束的能量無關。右圖是一些主要的俄歇電子能量。可見對于Z=3-14的元素，最突出的俄歇效應是由KLL躍遷形成的，對Z=14-40的元素是LMM躍遷，對Z=40-79的元素是MNN躍遷。大多數元素和一些化合物的俄歇電子能量可以從手冊中查到。②俄歇電子只能從20
俄歇電子能譜儀器構造
俄歇能譜儀包括電子光學系統、電子能量分析器、樣品安放系統、離子槍、超高真空系統。以下分別進行介紹。電子光學系統電子光學系統主要由電子激發源（熱陰極電子槍）、電子束聚焦（電磁透鏡）和偏轉系統（偏轉線圈）組成。電子光學系統的主要指標是入射電子束能量，束流強度和束直徑三個指標。其中AES分析的最小區域基本
關于俄歇電子能譜的俄歇電流的基本介紹
俄歇電子能譜的俄歇電流，從純凈固體表面測得的俄歇電流大約是10-5Ip，Ip是入射電子束流。 俄歇電流原則上可以通過估計電離截面來計算，但由于受多種因子的影響。 計算很復雜，并與實驗符合得不好。 在實際測量時，為了使俄歇電流達到最大，必須選擇適當的EP/EW比例。EP是入射電子的能量，EW是最初
俄歇電子能譜分析的用途
元素的定性和半定量分析（相對精度30%）；元素的深度分布分析（Ar離子束進行樣品表面剝離）；元素的化學價態分析；界面分析
通過俄歇電子譜研究化學組態
（1）原子“化學環境”指原子的價態或在形成化合物時，與該(元素)原子相結合的其它(元素)原子的電負性等情況如：原子發生電荷轉移(如價態變化)引起內層能級變化，從而改變俄歇躍遷能量，導致俄歇峰位移；（2）原子“化學環境”變化，不僅可能引起俄歇峰的位移(稱化學位移)，也可能引起其強度的變化，這兩種變化的
俄歇電子能譜儀的簡介
歐杰電子能譜術也稱俄歇電子能譜儀（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄
俄歇電子能譜法的簡介
中文名稱俄歇電子能譜法英文名稱Auger electron spectroscopy定 義測量和分析試樣產生的俄歇電子的能譜的電子能譜法。應用學科機械工程（一級學科），分析儀器（二級學科），能譜和射線分析儀器-能譜和射線分析儀器分析原理（三級學科）
俄歇電子能譜儀的應用
近年來,俄歇電子能譜儀( AES) 在材料表面化學成分分析、表面元素定性和半定量分析、元素深度分布分析及微區分析方面嶄露頭角。AES 的優點是,在距表面 0.5 ～ 2nm 范圍內, 靈敏度高、分析速度快,能探測周期表上 He 以后的所有元素。最初,俄歇電子能譜儀主要用于研究工作 ,現已成為一種常規
俄歇電子譜的定性分析
依據：俄歇電子的能量僅與原子本身的軌道能級有關，與入射電子的能量無關。對于特定的元素及特定的俄歇躍遷過程，其俄歇電子的能量是特征的。由此，可根據俄歇電子的動能來定性分析樣品表面物質的元素種類。方法：實際分析的俄歇電子譜圖是樣品中各種元素俄歇電子譜的組合，定性分析的方法是將測得的俄歇電子譜與純元素的標
俄歇電子能譜的物理原理
入射電子束和物質作用,可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量,可能以X光的形式放出,即產生特征X射線,也可能又使核外另一電子激發成為自由電子,這種自由電子就是俄歇電子。入射電子束和物質作用,可以激發出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量,可能以
俄歇電子能譜法（AES）介紹
俄歇電子能譜法是用具有一定能量的電子束(或X射線)激發樣品俄歇效應，通過檢測俄歇電子的能量和強度，從而獲得有關材料表面化學成分和結構的信息的方法。利用受激原子俄歇躍遷退激過程發射的俄歇電子對試樣微區的表面成分進行的定性定量分析。
俄歇電子能譜分析的特點
橫向分辨率取決于入射束斑大小；俄歇電子來自淺層表面(電子平均自由程決定)，其信息深度為1.0-3.0nm；檢測極限可達10-3單原子層（可以有效的用來研究固體表面的化學吸附和化學反應）；并且其能譜的能量位置固定，容易分析；適用于輕元素的分析
俄歇電子能譜分析的特點
1）分析層薄，0～3nm。AES的采樣深度為1～2nm，比XPS（對無機物約2nm，對高聚物≤10nm）還要淺，更適合于表面元素定性和定量分析。（2）分析元素廣，除H和He外的所有元素，對輕元素敏感。（3）分析區域小，≤50nm區域內成分變化的分析。由于電子束束斑非常小，AES具有很高的空間分辨率，
XPS圖譜之俄歇電子譜線
電子電離后，芯能級出現空位，弛豫過程中若使另一電子激發成為自由電子，該電子即為俄歇電子。俄歇電子譜線總是伴隨著XPS，但具有比XPS更寬更復雜的結構，多以譜線群的方式出現。特征：其動能與入射光ｈν無關。