二次離子質譜儀對分析物的要求

二次離子質譜儀對分析物的要求

　　在二次離子的常規檢測中，可以用于分析的樣品可以固體，也可以是粉末、纖維、塊狀、片狀、甚至液體（微流控裝置）。如果從導電性考慮，這些樣品可以是導電性好的材料，也可以是絕緣體或者半導體。從化學組成上來分，可以是有機樣品，如高分子材料、生物分子，也可以是無機樣品，如鋼鐵、玻璃、礦石等。

二次離子質譜儀（SIMS）

二次離子質譜儀（SIMS）分析方法介紹美信檢測 失效分析實驗室 1.簡介?二次離子質譜儀（secondary ion mass spectroscopy，簡稱SIMS），是利用質譜法分析初級 離子入射靶面后，濺射產生的二次離子而獲取材料表面信息的一種方法。二次離子質譜儀分 析對象包括金屬及合金、半導

二次離子質譜儀簡介

　　二次離子質譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry ，SIMS）是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或原子團吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,這些帶電粒子經過質量分析器后就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。[1]　　在傳統的SIMS實驗中，高能一次

電感耦合等離子體質譜儀對離子采集接口的要求

電感耦合等離子體質譜儀對離子采集接口的要求：1、最大限度的讓所生成的離子通過。2、保持樣品離子的完整性。3、氧化物和二次離子產率盡可能低。4、等離子體的二次放電盡可能小。5、不易堵塞。6、產生熱量盡可能少。7、采樣錐在等離子體內，通過軟件操作自動確定最佳位置（X、Y、Z 方向）。8、易于拆卸和維護。

電感耦合等離子體質譜儀對離子采集接口的要求

電感耦合等離子體質譜儀對離子采集接口的要求：1、zui大限度的讓所生成的離子通過。2、保持樣品離子的完整性。3、氧化物和二次離子產率盡可能低。4、等離子體的二次放電盡可能小。5、不易堵塞。6、產生熱量盡可能少。7、采樣錐在等離子體內，通過軟件操作自動確定zui佳位置（X、Y、Z方向）。8、易于拆卸和

二次離子質譜儀組成介紹

　　SIMS主要包括一次離子源、進樣室、質量分析器、真空系統、數據處理系統等部分，對于絕緣樣品還配有電荷補償的電子中和槍，同時根據分析目的不同，還配有不同的離子源，常見的有氣體放電源（如O、Ar、Xe）、表面電離源（如Cs）、熱隙源（如C60）和液態金屬及團簇源（如Bin、Aun、Ga）等。　　這是

二次離子質譜儀原理簡介

二次離子質譜儀原理簡介二次離子質譜儀（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）又稱離子探針（Ion Microprobe），是一種利用高能離子束轟擊樣品產生二次離子幵迚行質譜測定的儀器，可 以對固體或薄膜樣品迚行高精度的微區原位元素和同位素分析。由于地學樣品的復雜

二次離子質譜儀的發展歷史

　　自從Dunnoyer 第一次發現離子在真空中沿直線運動已經有100年的歷史，自此以后，分子束的應用在二十世紀持續到二十一世紀，它為重大技術進步和基礎研究奠定了基礎，分子束用于濺射源是其中應用之一。　　盡管在是十九世紀中葉濺射的現象已經觀察到，直到十九世紀四十年代，隨著真空技術的進步，Herzog

扇形磁場二次離子質譜儀簡介

　　　　扇形磁場二次離子質譜儀器通常使用靜電和扇形磁場分析器來進行濺射二次離子的速度和質量分析。扇形磁場使離子束偏轉，較輕的離子會比較重的離子偏轉更多，而較重的離子則具有更大動量。因此，不同質量的離子會分離成不同的光束。靜電場也應用于二次光束中，以消除色差。由于這些儀器具有更高的工作電流和持續光束，

二次離子質譜儀的質譜原理

　　Secondary-ion-mass spectroscope （SIMS）是一種基于質譜的表面分析技術，二次離子質譜原理是基于一次離子與樣品表面互相作用現象（基本原理如圖1所示）。帶有幾千電子伏特能量的一次離子轟擊樣品表面，在轟擊的區域引發一系列物理及化學過程，包括一次離子散射及表面原子、原子

質譜儀對溶液有什么要求

分離和檢測不同同位素的儀器。儀器的主要裝置放在真空中。將物質氣化、電離成離子束，經電壓加速和聚焦，然后通過磁場電場區，不同質量的離子受到磁場電場的偏轉不同，聚焦在不同的位置，從而獲得不同同位素的質量譜。質譜方法最早于1913年由J.J.湯姆孫確定，以后經 F.W.阿斯頓等人改進完善。現代質譜儀經過不

有機質譜儀對樣品的要求

適合分析相對分子質量為50~2000 μ的液體、固體有機化合物樣品，試樣應盡可能為純凈的單一組分。

質譜儀對工作環境的要求

質譜儀工作環境的保證為確保質譜儀在一個良好的環境下運行環境的溫度、濕度均需要控制在質譜儀正常工作的范圍內。同時，需要保證質譜儀的供電正常，負載達到要求，接地良好。并且，質譜儀應避免安裝在多塵，離地鐵、鐵道較近的有振動的區域內。

關于二次離子質譜儀操作模式的介紹

　　SIMS大致可以分為“動態二次離子質譜”（D-SIMS）"和“靜態二次離子質譜“（S-SIMS）兩大類。雖然工作原理上它們并無本質差別，但是兩種模式的應用特點卻有所不同。一次離子束流密度大小是劃分兩種模式的主要標準。一般在S-SIMS模式下，一次離子束流被控制在1013離子/cm2，常用飛行時間

簡述二次離子質譜儀的應用領域

　　當前二次離子質譜領域發展迅速，在半導體制造中元素摻雜，薄膜的組分測量和其他無機材料，宇宙中同位素比例，地球中微量元素等領域具有非常重要應用。　　通過二次離子質譜的深度剖析來分析材料薄膜結構是一種獨特的分析手段，尤其是對于分析不同薄層中的材料，以及相鄰兩層之間材料的相互影響 分析亞微米尺度下的特征

電感耦合等離子體質譜儀對運行環境有哪些要求？

電感耦合等離子體質譜儀是一種常用的質譜儀產品，主要由等離子體發生器、霧化室、矩管、四極質譜儀和一個快速通道電子倍增管等部件組成。電感耦合等離子體質譜儀工作原理： 根據被測元素通過一定形式進入高頻等離子體中，在高溫下電離成離子，產生的離子經過離子光學透鏡聚焦后進人四極桿質譜分析器按照荷質比分離，既可以

電感耦合等離子體質譜儀對運行環境有哪些要求呢？

電感耦合等離子體質譜儀工作原理：?根據被測元素通過一定形式進入高頻等離子體中，在高溫下電離成離子，產生的離子經過離子光學透鏡聚焦后進人四極桿質譜分析器按照荷質比分離，既可以按照荷質比進行半定量分析，也可以按照特定荷質比的離子數目進行定量分析。該類型質譜儀主要由離子源、質量分析器和檢測器三部分組成，還

離子阱質譜儀安裝的一些要求

　離子阱質譜儀目前廣泛應用于食品安全、藥物開發、環境監測、生命科學研究和分析等領域。 　　環境要求： 　　1、推薦實驗室溫度為20－27C，溫度變化99.9%，用氣量5~15L/min。 　　3、若使用氮氣鋼瓶或液氮鋼瓶提供氮氣，氣管接口離主機應小于４米，若氣瓶室離主機超過５米，用不銹鋼管（1

關于飛行時間二次離子質譜儀的介紹

　　飛行時間二次離子質譜儀(ToF-SIMS)。在此類質譜儀中，二次離子被提取到無場漂移管，二次離子沿既定飛行路徑到達離子檢測器。由于給定離子的速度與其質量成反比，因此它的飛行時間會相應不同，較重的離子到達檢測器的時間會比較輕的離子更晚。此類質譜儀可同時檢測所有給定極性的二次離子，并具有極佳質量分辨

幾種新型號二次離子質譜儀采用的新技術

幾種新型號二次離子質譜儀采用的新技術?本文簡要敘述法國CAMECA公司,德國IONTOFGmbH 公司新型的NanoSIMS50 IMSWFIMSSCUITRATOFSIMSIV 型二次離子質譜的特色,著重介紹這些儀器改進過的和新增加的 儀器部件的原理、性能及功用。關鍵詞?二次離子質譜?飛行時間二次

幾種新型號二次離子質譜儀采用的新技術

幾種新型號二次離子質譜儀采用的新技術 本文簡要敘述法國CAMECA公司,德國IONTOFGmbH 公司新型的NanoSIMS50 IMSWFIMSSCUITRATOFSIMSIV 型二次離子質譜的特色,著重介紹這些儀器改進過的和新增加的 儀器部件的原理、性能及功用。關鍵詞 二

飛行時間二次離子質譜儀（TOFSIMS）

飛行時間二次離子質譜儀（TOF-SIMS）介紹美信檢測失效分析實驗室?【摘要】飛行時間二次離子質譜儀（Time FlightSecondary Ion Mass Spectrometry， TOF-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發樣品表面，打出極其微 量的二次離子，根據二次

關于四級桿二次離子質譜儀器的介紹

　　　　由于這些儀器的質量分辨率相對有限（單位質量分辨率不能解決每超過一個峰值的質量），因此這些儀器越來越稀有。四級桿利用一個共振電場，其中只有特定質量的離子才能穩定通過震蕩場。與扇形磁場儀器相類似的是，這些儀器需要在高一次離子電流下操作，且通常被認為是“動態二次離子質譜”儀器（比如用于濺射深度剖析

高級玩具：二次離子質譜儀器核心技術研發

二次離子質譜儀器核心技術項目通過驗收

　　2011年6月21日，由中國地質科學院地質研究所北京離子探針中心牽頭，聯合了中國計量科學研究院、復旦大學、中國科學院大連化學物理研究所和北京普析通用儀器有限責任公司等單位共同承擔的國家科技支撐計劃課題“二次離子質譜儀器核心技術及關鍵部件研究與開發”(編號：2006BAK03A21)在京

質譜儀同位素比質譜儀對同位素標準物質的要求

同位素比質譜儀對同位素標準物質的一般要求是：　　1、組成均一性質穩定；　　2、數量較多，以便長期使用；　　3、化學制備和同位素測量的手續簡便；　　4、大致為天然同位素比值變化范圍的中值，便用于絕大多數樣品的測定；　　5、可以做為世界范圍的零點。

探討無機質譜儀對潔凈實驗室的要求

無機質譜儀發展迅速，目前廣泛用于地質學、礦物學、地球化學、核工業、材料科學、環境科學、醫學衛生、食品化學、石油化工、考古、空間技術等領域的分析測試。但是由于無機質譜儀很多測試樣品含量都在超痕量甚至更低，所以對環境要求就非常高，要求整個分析過程流程中都保持非常高的潔凈環境，所以在部分ICP-MS、高分

探討無機質譜儀對潔凈實驗室的要求

　　無機質譜儀發展迅速，目前廣泛用于地質學、礦物學、地球化學、核工業、材料科學、環境科學、醫學衛生、食品化學、石油化工、考古、空間技術等領域的分析測試。但是由于無機質譜儀很多測試樣品含量都在超痕量甚至更低，所以對環境要求就非常高，要求整個分析過程流程中都保持非常高的潔凈環境，所以在部分ICP-MS、

四極桿質譜儀對周圍環境的要求

對周圍環境的要求TQMS的安裝和正常運行對周圍環境都有比較嚴格的要求：① 周圍無強烈震蕩源及電磁感應裝置；②電源要求接地交流電230V，頻率50／60Hz；③室溫要求15—28oC(59—82.4下)；④相對濕度要求20％一80％。可見使用過程中要特別注意室內溫度和濕度的控制。另外，為了方便儀器散熱

極桿質譜儀儀器對周圍環境的要求

儀器對周圍環境的要求TQMS的安裝和正常運行對周圍環境都有比較嚴格的要求：① 周圍無強烈震蕩源及電磁感應裝置；②電源要求接地交流電230V，頻率50／60Hz；③室溫要求15—28oC(59—82.4下)；④相對濕度要求20％一80％。可見使用過程中要特別注意室內溫度和濕度的控制。另外，為了方便儀器